Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRLML6402TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -20V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id -3.7A; MICRO3; Pd 1.3W; Vgs +/-12V

Цена от 7,71 ₽ до 265,61 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRLML6402TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 12
В наличии до 14547 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,65 ₽ до 54,59 ₽
США
На складе 9588 шт.
MOQ 78 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
32,19 ₽ от 78 шт.
12,89 ₽ от 100 шт.
12,88 ₽ от 200 шт.
12,85 ₽ от 500 шт.
12,68 ₽ от 2000 шт.
12,65 ₽ от 6000 шт.
Канада
На складе 57 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Cut Tape
53,75 ₽ от 1 шт.
25,16 ₽ от 50 шт.
22,19 ₽ от 100 шт.
16,24 ₽ от 500 шт.
13,15 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 14547 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
41,81 ₽ от 1 шт.
34,84 ₽ от 15 шт.
27,87 ₽ от 68 шт.
19,51 ₽ от 251 шт.
17,42 ₽ от 1191 шт.
15,33 ₽ от 5334 шт.
14,63 ₽ от 11365 шт.
США
На складе 2550 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
54,59 ₽ от 5 шт.
37,63 ₽ от 25 шт.
27,64 ₽ от 50 шт.
17,65 ₽ от 100 шт.
США
На складе 2550 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
54,59 ₽ от 5 шт.
37,63 ₽ от 25 шт.
27,64 ₽ от 50 шт.
17,65 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1006 шт.
MOQ 55 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
50,95 ₽ от 55 шт.
США
На складе 400 шт.
Обновлено 16:53 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 993 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2000 шт.
Обновлено 22:39 02.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 540 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2080 шт.
Обновлено 11:34 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1202 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 5
В наличии до 201000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 7,81 ₽ до 67,27 ₽
Германия
На складе 201000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 05:48 05.03.2021
9,76 ₽ от 3000 шт.
9,20 ₽ от 6000 шт.
8,65 ₽ от 12000 шт.
7,81 ₽ от 24000 шт.
Германия
На складе 43900 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
16,43 ₽ от 100 шт.
12,33 ₽ от 500 шт.
10,27 ₽ от 3000 шт.
9,89 ₽ от 6000 шт.
Британия
На складе 4340 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
67,27 ₽ от 5 шт.
44,21 ₽ от 50 шт.
23,87 ₽ от 150 шт.
20,98 ₽ от 750 шт.
16,18 ₽ от 1500 шт.
Британия
На складе 100 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Германия
На складе 2985 шт.
Обновлено 15:30 05.03.2021
Цена по запросу.
Азия 12
В наличии до 384802 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,71 ₽ до 265,61 ₽
Китай
На складе 384802 шт.
MOQ 570 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
11,30 ₽ от 570 шт.
9,38 ₽ от 1370 шт.
8,99 ₽ от 2145 шт.
8,73 ₽ от 2945 шт.
8,48 ₽ от 3790 шт.
7,71 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 96650 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
14,28 ₽ от 5 шт.
11,14 ₽ от 50 шт.
10,35 ₽ от 150 шт.
9,33 ₽ от 500 шт.
8,86 ₽ от 2500 шт.
8,78 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 3000 шт.
MOQ 445 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
14,51 ₽ от 445 шт.
11,94 ₽ от 1080 шт.
11,56 ₽ от 1670 шт.
11,17 ₽ от 2300 шт.
10,92 ₽ от 2945 шт.
9,76 ₽ от 3950 шт.
Китай
На складе 21000 шт.
MOQ 9000 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
10,02 ₽ от 9000 шт.
10,02 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
13,06 ₽ от 3000 шт.
11,65 ₽ от 9000 шт.
10,88 ₽ от 24000 шт.
10,75 ₽ от 45000 шт.
Япония
На складе 11588 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
33,82 ₽ от 10 шт.
29,52 ₽ от 50 шт.
11,81 ₽ от 100 шт.
11,81 ₽ от 500 шт.
11,63 ₽ от 2000 шт.
11,63 ₽ от 6000 шт.
Сингапур
На складе 1633 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
67,33 ₽ от 1 шт.
46,45 ₽ от 10 шт.
21,74 ₽ от 100 шт.
16,95 ₽ от 1000 шт.
14,65 ₽ от 3000 шт.
13,03 ₽ от 9000 шт.
12,16 ₽ от 24000 шт.
11,97 ₽ от 45000 шт.
Сингапур
На складе 3544 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
83,80 ₽ от 1 шт.
57,75 ₽ от 10 шт.
27,10 ₽ от 100 шт.
21,07 ₽ от 1000 шт.
18,20 ₽ от 3000 шт.
16,28 ₽ от 9000 шт.
15,23 ₽ от 24000 шт.
14,94 ₽ от 45000 шт.
Япония
На складе 21 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
47,05 ₽ от 1 шт.
38,58 ₽ от 10 шт.
23,48 ₽ от 50 шт.
22,30 ₽ от 100 шт.
18,27 ₽ от 500 шт.
18,22 ₽ от 1000 шт.
18,13 ₽ от 2000 шт.
18,03 ₽ от 4000 шт.
Япония
На складе 16 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
47,24 ₽ от 10 шт.
Япония
На складе 2797 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
265,61 ₽ от 1 шт.
125,22 ₽ от 10 шт.
87,27 ₽ от 50 шт.
68,30 ₽ от 100 шт.
60,71 ₽ от 500 шт.
56,92 ₽ от 1000 шт.
55,40 ₽ от 2000 шт.
53,88 ₽ от 4000 шт.
Израиль
На складе 21000 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRLML6402TRPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
-3.70 A
Continuous Drain Current (Ids):
-3.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Part Family:
IRLML6402
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
48.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • P-Ch
  • VDSS -20V
  • RDS(ON) 0.065Ohm
  • ID -3.7A
  • Micro3
  • PD 1.3W
  • ВГС +/- 12 В
  • -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Быстрое переключение
  • Низкопрофильный (менее 1,1 мм)
  • P-канальный МОП-транзистор
  • SOT-23 Footprint | Target Applications: DC Switches
  • Load Switch
  • MOSFET, P, MICRO3
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:-3.7A
  • Drain Source Voltage Vds:-20V
  • On Resistance Rds(on):65mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV
  • Transistor Case Style:µSOIC
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:-3.7A
  • Package / Case:Micro3
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:-20V
  • Voltage Vgs Max:-550mV
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • MOSFET, P REEL 3K
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: P
  • Напряжение, Vds тип .: -20V
  • Current, Id Cont:3.7A
  • Resistance, Rds On:0.065ohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 4,5В
  • Voltage, Vgs th Typ:-0.55V
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Тип завершения: SMD
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:11mJ
  • Current, Idm Pulse:22A
  • Current, Idss Max:1.0µA
  • Внешняя глубина: 2,5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1,12 мм
  • Количество контактов: 3
  • P Channel Gate Charge:12nC
  • Power Dissipation:1.3W
  • Power, Pd:1.3W
  • Quantity, Reel:3000
  • SMD Marking:1E
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Температура, Tj макс .: 150 ° C
  • Temperature, Tj Min:-55°C
  • Time, Fall:381s
  • Time, Rise:48ns
  • Time, trr Typ:29ns
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Typ Capacitance Ciss:633pF
  • Typ Charge Qrr @ Tj = 25°C:11nC
  • Voltage, Vds Max:20V
  • Voltage, Vgs th Max:-0.95V
  • Voltage, Vgs th Min:-0.4V
  • Ширина, внешняя: 3,05 мм
  • Width, Tape:8mm

Документы по Infineon IRLML6402TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 15.02.2005)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRLML6402TRPBF, сравнение характеристик.

Vishay SI2301BDS-T1-E3
Цена от 11,43 ₽ до 156,77 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Continuous Drain Current (Ids) -2.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 900 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Nexperia PMV65XP,215
Цена от 4,27 ₽ до 117,50 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Continuous Drain Current (Ids) -3.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.92 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
ON Semiconductor NTR4101PT1G
Цена от 3,64 ₽ до 281,47 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг -3.20 A.
Continuous Drain Current (Ids) -3.20 A, 3.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 730 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 112 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDN304P
Цена от 4,25 ₽ до 56,86 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -200 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг -2.40 A.
Gate Charge 12.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Входная емкость 1.31 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 52.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDN340P
Цена от 4,72 ₽ до 349,41 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг -2.00 A.
Gate Charge 7.20 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 A.
Входная емкость 779 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 60.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor NTR1P02T1G
Цена от 6,27 ₽ до 350,79 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг -1.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.00 mA, 1.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 400 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 148 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.