Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRLMS5703TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.18 Ohm; Id -2.4A; MICRO6; Pd 1.7W; Vgs +/-20V

Цена от 15,76 ₽ до 301,62 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRLMS5703TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 3250 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 15,76 ₽ до 301,62 ₽
Европейский союз
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:36 10.02.2021
18,99 ₽ от 3000 шт.
18,23 ₽ от 6000 шт.
17,85 ₽ от 12000 шт.
17,57 ₽ от 18000 шт.
16,90 ₽ от 24000 шт.
16,62 ₽ от 30000 шт.
15,76 ₽ от 300000 шт.
Британия
На складе 3250 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
66,26 ₽ от 50 шт.
37,56 ₽ от 250 шт.
33,32 ₽ от 750 шт.
29,08 ₽ от 1500 шт.
24,66 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 708 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
301,62 ₽ от 1 шт.
283,47 ₽ от 25 шт.
189,91 ₽ от 100 шт.
155,00 ₽ от 250 шт.
94,95 ₽ от 1000 шт.
Азия 5
В наличии до 15000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 19,25 ₽ до 71,73 ₽
Китай
На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 10:24 08.02.2021
19,25 ₽ от 3000 шт.
19,25 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 5272 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 09.02.2021
44,85 ₽ от 1 шт.
34,22 ₽ от 10 шт.
32,27 ₽ от 30 шт.
30,32 ₽ от 100 шт.
29,45 ₽ от 500 шт.
29,02 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 3410 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
63,66 ₽ от 1 шт.
Сингапур
На складе 708 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
71,73 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 15000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Америка 5
В наличии до 12000 шт.
MOQ от 100 шт.
США
На складе 12000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3012 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 4620 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2032 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRLMS5703TRPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Текущий рейтинг:
-2.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
-2.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRLMS5703
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.70 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • P-Ch
  • VDSS -30В
  • RDS(ON) 0.18Ohm
  • ID -2.4A
  • Micro6
  • PD 1.7W
  • ВГС +/- 20В
  • -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
  • MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -2.3A, 200 MOHM, 7.2 NC QG, LOGIC L
  • Single P-Channel 30 V 0.18 Ohm 7.2 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6
  • MOSFET, P, 6-TSOP
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:-1.6A
  • Напряжение источника стока Vds: -30 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 200 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: -1 В
  • Power Dissipation Pd:1.7W
  • Transistor Case Style:TSOP
  • Количество контактов: 6
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:-2.3A
  • Упаковка / коробка: TSOP
  • Power Dissipation Pd:1.7W
  • Тип завершения: SMD
  • Напряжение Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Max:-1V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Низкий RDS (вкл.)
  • Лучшее в отрасли качество
  • Динамический рейтинг dv / dt
  • Быстрое переключение
  • Полностью оценен от лавин
  • 175C рабочая температура
  • P-Channel MOSFET | Target Applications: DC Switches
  • Load Switch

Документы по Infineon IRLMS5703TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 19.01.2005)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)