Наличие Infineon SI4420DYTRPBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 4125 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 34,66 ₽ до 700,16 ₽
На складе 4125 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
На складе 132 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 31 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
На складе 45 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
На складе 44 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 11680 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 11680 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 665 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 665 шт.
Обновлено 15:46 25.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon SI4420DYTRPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
12.5 A
Continuous Drain Current (Ids):
12.5 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Bulk
Part Family:
SI4420DY
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W
Время нарастания:
10.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Лучшее в отрасли качество
- Низкие коммутационные потери
- Низкие потери проводимости
- Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC Tube
- Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA