Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
SPD04N80C3ATMA1

Single N-Channel 800 V 1.3 Ohm 31 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-252-3

Цена от 73,88 ₽ до 1 010,77 ₽
Datasheet

Наличие Infineon SPD04N80C3ATMA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 20579 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 377,45 ₽ до 1 010,77 ₽
Британия
На складе 20579 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:25 04.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
1 010,77 ₽ от 1 шт.
791,65 ₽ от 10 шт.
559,81 ₽ от 100 шт.
479,23 ₽ от 500 шт.
384,52 ₽ от 1000 шт.
377,45 ₽ от 5000 шт.
Германия
На складе 5000 шт.
Обновлено 09:51 04.02.2021
Цена по запросу.
Америка 11
В наличии до 4770 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 73,88 ₽ до 339,39 ₽
США
На складе 4678 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tape & Reel
169,97 ₽ от 1 шт.
145,04 ₽ от 10 шт.
145,04 ₽ от 50 шт.
107,65 ₽ от 100 шт.
75,01 ₽ от 1000 шт.
73,88 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
Упаковка Cut Tape
80,29 ₽ от 1 шт.
США
На складе 2162 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Cut Tape
188,10 ₽ от 1 шт.
153,54 ₽ от 10 шт.
150,70 ₽ от 25 шт.
119,44 ₽ от 100 шт.
101,24 ₽ от 500 шт.
82,47 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1392 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
98,24 ₽ от 16 шт.
93,84 ₽ от 100 шт.
90,08 ₽ от 250 шт.
86,83 ₽ от 500 шт.
84,00 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1609 шт.
Обновлено 11:12 04.02.2021
339,39 ₽ от 1 шт.
254,54 ₽ от 3 шт.
212,12 ₽ от 13 шт.
127,27 ₽ от 43 шт.
118,79 ₽ от 140 шт.
110,30 ₽ от 299 шт.
106,06 ₽ от 642 шт.
93,33 ₽ от 1112 шт.
США
На складе 3900 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
98,97 ₽ от 30 шт.
98,54 ₽ от 50 шт.
98,24 ₽ от 100 шт.
95,35 ₽ от 1000 шт.
95,06 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 1498 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 04.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
176,77 ₽ от 1 шт.
150,84 ₽ от 10 шт.
137,88 ₽ от 25 шт.
124,91 ₽ от 50 шт.
111,95 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1104 шт.
Обновлено 00:15 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 4770 шт.
Обновлено 14:06 28.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 273 шт.
Обновлено 18:55 02.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 447 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 3900 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 76,49 ₽ до 196,17 ₽
Китай
На складе 3000 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 12:01 02.02.2021
110,50 ₽ от 60 шт.
93,56 ₽ от 140 шт.
90,69 ₽ от 220 шт.
87,83 ₽ от 300 шт.
85,09 ₽ от 385 шт.
76,49 ₽ от 515 шт.
Япония
На складе 3900 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:32 04.02.2021
Упаковка Cut Tape
93,16 ₽ от 1 шт.
92,80 ₽ от 10 шт.
92,25 ₽ от 50 шт.
92,07 ₽ от 100 шт.
89,33 ₽ от 1000 шт.
89,15 ₽ от 2000 шт.
Китай
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
93,11 ₽ от 1 шт.
Китай
На складе 35 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.02.2021
196,17 ₽ от 1 шт.
147,18 ₽ от 10 шт.
138,24 ₽ от 30 шт.
129,28 ₽ от 100 шт.
125,29 ₽ от 500 шт.
123,17 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Infineon SPD04N80C3ATMA1, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
4.00 A
Gate Charge:
26.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Входная емкость:
570 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
63.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
800 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
800 V
  • Single N-Channel 800 V 1.3 Ohm 31 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-252-3
  • MOSFET, N, TO-252
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
  • Напряжение источника стока Vds: 800 В
  • На сопротивлении Rds (на): 1,3 Ом
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 3 В
  • Power Dissipation Pd:63W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-252
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:4A
  • Package / Case:TO-252
  • Power Dissipation Pd:63W
  • Импульсный ток Idm: 12A
  • Тип завершения: SMD
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Напряжение Vds Typ: 800 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • 800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance
  • (R на * A)
  • Очень низкое накопление энергии в выходной емкости (E oss) при 400 В
  • Низкий заряд затвора (Q г)
  • Проверенное на практике качество CoolMOS
  • Технология CoolMOS производится Infineon с 1998 года | Преимущества: высокая эффективность и удельная мощность.
  • Превосходная цена / производительность
  • Высокая надежность
  • Ease-of-use | Target Applications: Consumer
  • Мощность ПК
  • Адаптер
  • Освещение
  • Солнечная

Документы по Infineon SPD04N80C3ATMA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 01.08.2013)
Заявление о конфликтных минералах