Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
SPP04N60S5HKSA1

Summary of Features: Innovative high voltage technology; Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252; Ultra low gate...
Datasheet
  • Summary of Features: Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Сверхнизкий заряд затвора
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

Документы по Infineon SPP04N60S5HKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 26.11.2009)
Заявление о конфликтных минералах