International Rectifier
IRF5851TR
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 6 package
Технические характеристики International Rectifier IRF5851TR, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
2.20 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Part Family:
IRF5851
Рассеяние мощности:
960 mW (max)
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- 20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 6 package
- Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/2.2A 6-Pin TSOP T/R
- 20V 2.700A TSOP-6
