International Rectifier
IRF7321D2PBF
-30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
Технические характеристики International Rectifier IRF7321D2PBF, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-4.90 A
Continuous Drain Current (Ids):
-4.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF7321D2
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Время нарастания:
13.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
- -30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
- MOSFET With Schottky Diode
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Напряжение истока стока, Vds: -30V
- Continuous Drain Current, Id:-4.7A
- On Resistance, Rds(on):62mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, P, FETKY, SO-8
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: P
- Voltage, Vds Typ:-30V
- Current, Id Cont:4.7A
- Resistance, Rds On:0.062ohm
- Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V
- Voltage, Vgs th Typ:-1V
- Case Style:SOIC
- Тип завершения: SMD
- Current, Id Max:38A
- Current, Idm Pulse:38A
- Current, If AV:3.2A
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Power, Pd:2W
- SMD Marking:F7321
- Температура, ток: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Транзисторы, Кол-во: 1
- Напряжение, Vds Max: 30 В
- Voltage, Vf Max:0.57V
- Voltage, Vgs th Max:-1V
- Voltage, Vgs th Min:-1V
Документы по International Rectifier IRF7321D2PBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на International Rectifier IRF7321D2PBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7309.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) -5.80 A, -2.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7406.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 33.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) -4.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7205.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 21.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) -3.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7342.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 150 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -6.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) -6.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7404.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 32.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) -4.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7316.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 58.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -40.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -6.20 A.
Continuous Drain Current (Ids) -6.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7241.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 280 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -40.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) -5.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape, Bulk.
Part Family IRF7204.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 26.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.60 A.
Continuous Drain Current (Ids) -3.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7306.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 1.40 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.