Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

International Rectifier
IRF7665S2TRPBF

Mosfet Transistor, N Channel, 14.4 Ma, 100 V, 51 Mohm, 10 V, 4 V

Цена от 44,94 ₽ до 436,16 ₽
Datasheet

Наличие International Rectifier IRF7665S2TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 16939 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 44,94 ₽ до 436,16 ₽
США
На складе 14400 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
52,39 ₽ от 782 шт.
50,07 ₽ от 790 шт.
48,85 ₽ от 1600 шт.
46,95 ₽ от 4000 шт.
44,94 ₽ от 7900 шт.
США
На складе 16939 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
49,45 ₽ от 1 шт.
48,45 ₽ от 25 шт.
47,46 ₽ от 100 шт.
46,47 ₽ от 500 шт.
45,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 16939 шт.
MOQ 782 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
53,46 ₽ от 782 шт.
52,16 ₽ от 790 шт.
51,42 ₽ от 1600 шт.
49,95 ₽ от 4000 шт.
48,85 ₽ от 7900 шт.
США
На складе 853 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel
128,02 ₽ от 1 шт.
108,82 ₽ от 10 шт.
108,82 ₽ от 50 шт.
83,55 ₽ от 100 шт.
58,27 ₽ от 1000 шт.
49,77 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 40 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
436,16 ₽ от 1 шт.
327,12 ₽ от 2 шт.
272,60 ₽ от 10 шт.
163,56 ₽ от 33 шт.
США
На складе 39 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики International Rectifier IRF7665S2TRPBF, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
14.4 A, 14.4 mA
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7665S2
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
30.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
  • Mosfet Transistor, N Channel, 14.4 Ma, 100 V, 51 Mohm, 10 V, 4 V
  • A 100V Digital Audio Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SB package rated at 14.4 amperes., MG-WDSON-4, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin Direct-FET SB T/R
  • A 100V Digital Audio Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SB package rated at 14.4 amperes optimized with low on resistance for applications such as active OR'ing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied
  • MOSFET, N-CH, 100V, 14.4A, SB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:14.4mA
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):51mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 30 Вт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:DirectFET
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:14.4A
  • Рассеиваемая мощность Pd: 30 Вт
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications
  • Low Qg for better THD and improved efficiency
  • Low Qrr for better THD and improved efficiency
  • Low package stray inductance for reduced ringing and lower EMI | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • Isolated Primary Side MOSFETs
  • Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
  • Сторона высокого уровня переключателя нагрузки

Документы по International Rectifier IRF7665S2TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 02.07.2009)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление о конфликтных минералах