Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

IXYS
IXFN180N10

Single N-Channel 100 Vds 8 mOhm 600 W Power Mosfet - SOT-227B

Цена от 3 025,52 ₽ до 27 543,62 ₽
Datasheet

Наличие IXYS IXFN180N10 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 386 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20 361,38 ₽ до 27 543,62 ₽
Британия
На складе 386 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
27 543,62 ₽ от 1 шт.
26 084,72 ₽ от 5 шт.
24 625,83 ₽ от 10 шт.
23 082,77 ₽ от 50 шт.
20 775,20 ₽ от 100 шт.
20 361,38 ₽ от 250 шт.
Америка 3
В наличии до 614 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 3 025,52 ₽ до 4 671,97 ₽
США
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
3 025,52 ₽ от 1 шт.
США
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
4 671,97 ₽ от 1 шт.
4 357,62 ₽ от 10 шт.
3 914,41 ₽ от 50 шт.
3 653,38 ₽ от 100 шт.
3 523,42 ₽ от 1000 шт.
3 523,42 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 614 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 669 шт.
MOQ от 100 шт.
Малайзия
На складе 669 шт.
Обновлено 00:57 23.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики IXYS IXFN180N10, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
180 A
Напряжение изоляции:
2.50 kV
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Chassis, Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Количество выводов:
4
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
600 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
42.0 g
  • Single N-Channel 100 Vds 8 mOhm 600 W Power Mosfet - SOT-227B
  • Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
  • N Channel Mosfet, 100V, 180A, Sot-227B
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:180A
  • On Resistance Rds(On):0.008Ohm
  • Transistor Mounting:module
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Msl: - Соответствие RoHS: Да

Документы по IXYS IXFN180N10, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(4 страницы, 21.01.2002)