Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

IXYS
IXFR44N50P

Single N-Channel 500 V 150 mOhm 208 W Power Mosfet - ISOPLUS247

Цена от 825,52 ₽ до 1 228,26 ₽
Datasheet

Наличие IXYS IXFR44N50P на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 218 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 825,52 ₽ до 1 228,26 ₽
США
На складе 65 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tube
1 228,26 ₽ от 1 шт.
1 058,04 ₽ от 10 шт.
1 058,04 ₽ от 50 шт.
876,69 ₽ от 100 шт.
825,52 ₽ от 1000 шт.
825,52 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 218 шт.
Обновлено 17:26 01.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 23 шт.
Обновлено 16:15 11.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики IXYS IXFR44N50P, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
500 V
Текущий рейтинг:
44.0 A
Gate Charge:
98.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
24.0 A
Входная емкость:
5.44 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
208 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
150 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
500 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
500 V
  • Single N-Channel 500 V 150 mOhm 208 W Power Mosfet - ISOPLUS247
  • Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
  • MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

Документы по IXYS IXFR44N50P, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 07.05.2006)

Товары похожие на IXYS IXFR44N50P, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FQA24N50
Цена от 190,91 ₽ до 610,42 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Gate Charge 90.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 24.0 A.
Входная емкость 3.50 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 220 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 250 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.
Fairchild Semiconductor FQA24N50F
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 24.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 200 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.
Vishay IRFBA22N50APBF
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 24.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 340 W.
Время нарастания 66.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.