Наличие IXYS IXTT16N20D2 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 933 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 23 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики IXYS IXTT16N20D2, атрибуты и параметры.
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
RoHS:
Compliant
- Trans MOSFET N-CH 200V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-268
- IXTT16N20D2 Series 200 V 80 mOhm N-Channel Depletion Mode Mosfet - TO-268
- MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Документы по IXYS IXTT16N20D2, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на IXYS IXTT16N20D2, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 35.0 A.
Gate Charge 63.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 49.0 A, 41.0 A.
Входная емкость 1.47 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ44N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 83.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 17.5 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V, 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 98.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 98.0 A, 110 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFP064N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 100 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 260 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Part Family IRLB3813.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 8.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 850 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 23.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг -14.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) -14.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF9530N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 79.0 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 200 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 58.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -55.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг -12.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) -12.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF9Z24N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 45.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 55.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min).
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 17.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 17.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Part Family IRF530N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 70.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -100 V.
Текущий рейтинг -23.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) -23.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF9540N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 67.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 64.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 64.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ48N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 94.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 78.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.