Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6002-E/MS на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Microchip MCP6002-E/MS, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
MSOP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
76.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
2.00 µV/K
Input Offset Voltage:
4.50 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
86.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
600 mV/μs
Supply Current:
170 µA (max)
Supply Voltage (DC):
1.80 V (min), 5.50 V (max)
- Маломощный операционный усилитель для поверхностного монтажа, 6 В, 1 МГц, MCP6002 - MSOP-8
- Операционный усилитель с двумя усилителями малой мощности R-R I / O 6V Автомобильная 8-контактная лампа MSOP
- OP Amp Dual General Purpose Rail to Rail I / O 6 В 8-контактная трубка MSOP
- Микрочип MCP6002-E / MS
- Двойной операционный усилитель
- 1 МГц Rail-Rail
- От 1,8 до 6 В
- 8-контактный MSOP
- OP AMP, 1 МГц, 0,6 В / мкс, 4,5 мВ, MSOP8
- No. of Amplifiers:2 Amplifier
- Полоса пропускания: 1 МГц
- Скорость нарастания: 0,6 В / мкс
- Диапазон напряжения питания: от 1,8 В до 6 В
- Стиль корпуса усилителя: MSOP
- No. of Pins:8Pins
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Документы по Microchip MCP6002-E/MS, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6002-E/MS, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 76.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 86.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 76.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 86.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 76.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 86.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 76.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 86.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 76.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 86.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 45.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Impedance 1.00 TΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Positive Supply Voltage 5.50 V (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 920 mV/μs.
Supply Current 130 µA.
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, TSSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 10.0 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.50 V/μs.
Supply Current 250 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, TSSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 10.0 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.50 V/μs.
Supply Current 250 µA (max).
Supply Voltage (DC) 18.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 4.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 250 µA (max).
Supply Voltage (DC) 12.0 V.