Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP602-E/P на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 60 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 07:20 06.03.2021
На складе 860 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
На складе 150 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 150 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 644 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 780 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 12:30 05.03.2021
Упаковка Bulk На складе 294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 655 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:35 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 860 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
На складе 780 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:58 05.03.2021
На складе 780 шт.
MOQ 120 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 92 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 860 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP602-E/P, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
2.80 MHz
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
75.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
2.80 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
2.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
80.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
2.30 V/μs
Supply Current:
325 µA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.70 V (min)
- Операционный усилитель с двумя усилителями малой мощности R-R O / P 6V Автомобильная 8-контактная лампа PDIP
- Microchip MCP602-E/P
- Двойной операционный усилитель
- 2,8 МГц Rail-Rail
- 2.7 to 6 V
- 8-контактный PDIP
- MCP602 Series 6 V 230 µA 2.8 MHz Through Hole Single Supply CMOS Op Amps - DIP-8
- Op Amp, 2.8Mhz, 2.3V/ Us, 2Mv, 8-Dip
- Количество усилителей: 2 усилителя
- Bandwidth:2.8Mhz
- Slew Rate:2.3V/µs
- Supply Voltage Range:2.7V To 6V
- Amplifier Case Style:dip
- Количество контактов: 8 контактов
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да
Документы по Microchip MCP602-E/P, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP602-E/P, сравнение характеристик.
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 400 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.50 V/μs.
Supply Current 900 µA (max).
Thermal Shutdown No.
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 400 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.40 V/μs.
Supply Current 900 µA (max).
Supply Voltage (DC) 7.00 V.
Thermal Shutdown No.