Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6021-E/ST на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 429 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Tube На складе 559 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:45 01.03.2021
Упаковка Tube На складе 12290 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:35 02.03.2021
Упаковка Tube Технические характеристики Microchip MCP6021-E/ST, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
TSSOP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
74.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
3.50 µV/K
Input Offset Voltage:
250 µV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
74.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
7.00 V/μs
Supply Current:
1.35 mA (max)
Supply Voltage (DC):
2.50 V (min), 5.50 V (max)
- Microchip MCP6021-E/ST Op Amp
- 10 МГц Rail-Rail
- 2,5 - 5,5 В
- 8-контактный TSSOP
- Op Amp Single GP R-R I/O 5.5V Automotive 8-Pin TSSOP Tube
- OP AMP, SINGLE, 2.5V, 10MHZ, 8TSSOP
- Тип операционного усилителя: широкополосный
- Кол-во усилителей: 1
- Полоса пропускания: 10 МГц
- Скорость нарастания: 7 В / мкс
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Amplifier Case Style:TSSOP
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Base Number:6021
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
Документы по Microchip MCP6021-E/ST, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6021-E/ST, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Усиление 135 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.25 pF.
Input Impedance 3.50 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.00 V/μs.
Supply Current 4.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 90.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 1.20 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 92.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.00 pF.
Input Impedance 1.00 TΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec Yes.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 50.0 V/μs.
Supply Current 6.50 mA.