Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6022-I/ST на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Microchip MCP6022-I/ST, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
TSSOP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
74.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
3.50 µV/K
Input Offset Voltage:
250 µV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Упаковка:
Tube, Bulk
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
74.0 dB (min)
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
7.00 V/μs
Supply Current:
1.35 mA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.50 V (min)
- MCP6022 Series 5.5 V 10 MHz Rail-to-Rail I/O Operational Amplifier-TSSOP-8LD
- Microchip MCP6022-I/ST
- Двойной операционный усилитель
- 10MHz CMOS
- Железная дорога на железную дорогу
- 3В
- 5В
- 8-контактный TSSOP
- Op Amp Dual GP R-R I/O 5.5V Automotive 8-Pin TSSOP Tube
Документы по Microchip MCP6022-I/ST, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6022-I/ST, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Усиление 110 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
Ток покоя 1.00 mA.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.00 V/μs.
Supply Current 1.15 mA (max).
Supply Voltage (DC) 7.50 V.