Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6024-E/SL на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 61 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 354 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 111 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 10 шт.
MOQ 57 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
На складе 570 шт.
MOQ 57 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 220 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 1016 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube На складе 570 шт.
MOQ 57 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 71 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
На складе 10 шт.
MOQ 57 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
На складе 11 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 570 шт.
MOQ 57 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 111 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP6024-E/SL, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
74.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
3.50 µV/K
Input Offset Voltage:
250 µV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
4
Количество контуров:
4
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
14
Power Supply Rejection Ratio:
74.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
7.00 V/μs
Supply Current:
1.35 mA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.50 V (min)
- Операционный усилитель Rail-to-Rail ввода-вывода, серия MCP6024, 5,5 В, 10 МГц, SOIC-14LD
- Microchip MCP6024-E/SL
- Четырехъядерный операционный усилитель
- 10 МГц Rail-Rail
- От 2,5 до 5,5 В
- 14-контактный SOIC
- OP Amp Quad GP R-R I/O 5.5V Automotive 14-Pin SOIC N Tube
Документы по Microchip MCP6024-E/SL, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6024-E/SL, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Усиление 135 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.25 pF.
Input Impedance 3.50 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 80.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.00 V/μs.
Supply Current 4.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 90.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 1.20 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB.
Усиление 120 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 8.80 pF.
Input Impedance 100 MΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 1.40 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.25 pF.
Input Impedance 3.50 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.00 V/μs.
Supply Current 4.00 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB.
Усиление 120 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 8.80 pF.
Input Impedance 100 MΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 1.40 mA (max).