Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6442-E/SN на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 300 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
На складе 8 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 500 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 418 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 408 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 500 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 500 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 20 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 20 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 25 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 1700 шт.
MOQ 55 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 20 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
На складе 286 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 300 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP6442-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
9.00 kHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
60.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
9.00 kHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
4.50 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
65.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
3.00 mV/μs
Supply Voltage (DC):
6.00 V (max), 1.40 V (min)
- IC, Op Amp,Outputs,2,CMRR,60DB,Slew,0.003V/US,V(IN),1.4-6.0V,-40 TO 125C,SOIC-8
- Op Amp Dual Nanopower Amplifier R-R I/O 6V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
- MCP6442 Series 1.6 V 9 kHz Operational
- Amplifier - SOIC-8
- OPAMP, DUAL, 1.6V, 9KHZ, 8SOIC
- Op Amp Type:Unity Gain Stable
- Кол-во усилителей: 2
- Bandwidth:9kHz
- Slew Rate:0.003V/µs
- Supply Voltage Range:1.4V to 6V
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Base Number:6442
Документы по Microchip MCP6442-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6442-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 5.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SC-70.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 5.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс TDFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).