Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Nexperia
PMV40UN,215

Single N-Channel 30 V 47 mOhm 9.3 nC 1.9 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23

Цена от 6,72 ₽ до 23,18 ₽
Datasheet

Наличие Nexperia PMV40UN,215 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 2
В наличии до 168219 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 6,72 ₽ до 23,18 ₽
США
На складе 168219 шт.
Обновлено 09:59 25.12.2020
7,30 ₽ от 1 шт.
7,15 ₽ от 25 шт.
7,01 ₽ от 100 шт.
6,86 ₽ от 500 шт.
6,72 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1290 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
23,18 ₽ от 1 шт.
17,39 ₽ от 26 шт.
14,49 ₽ от 68 шт.
10,43 ₽ от 401 шт.
Азия 2
В наличии до 34460 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 9,10 ₽ до 13,07 ₽
Китай
На складе 34460 шт.
MOQ 495 шт.
Обновлено 08:15 24.12.2020
13,07 ₽ от 495 шт.
11,02 ₽ от 1165 шт.
10,77 ₽ от 1790 шт.
10,38 ₽ от 2470 шт.
10,12 ₽ от 3165 шт.
9,10 ₽ от 4230 шт.
Малайзия
На складе 735 шт.
Обновлено 17:18 23.12.2020
Цена по запросу.

Технические характеристики Nexperia PMV40UN,215, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Continuous Drain Current (Ids):
4.90 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.90 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Single N-Channel 30 V 47 mOhm 9.3 nC 1.9 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
  • Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin TO-236AB T/R
  • MOSFET, N CH, 30V, 4.9A, 3-SOT-23
  • PMV40UN - N-channel TrenchMOS ultra low level FET
  • IC,PMV40UN,215,TAPE13 PWR-MOS
  • MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  • Transistor Polarity:N Channel
  • On State Resistance:47mohm
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:SOT-23
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Cont Current Id:2A
  • Тип завершения: SMD
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по Nexperia PMV40UN,215, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 06.08.2003)
Заявление Rohs
(1 страница, 19.09.2012)
Заявление о достижении
(3 страницы, 29.01.2013)