Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Nexperia
PMV45EN

Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin TO-236AB

Цена от 16,16 ₽ до 38,78 ₽
Datasheet

Наличие Nexperia PMV45EN на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Quest
На складе 2621 шт.
Обновлено 11:21 23.12.2020
38,78 ₽ от 1 шт.
32,31 ₽ от 16 шт.
25,85 ₽ от 74 шт.
18,10 ₽ от 274 шт.
16,16 ₽ от 1300 шт.
iodParts
На складе 1500 шт.
Обновлено 11:36 23.12.2020
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 982 шт.
Обновлено 23:13 18.12.2020
Цена по запросу.
Chip 1 Exchange
На складе 200 шт.
Обновлено 10:49 12.12.2020
Цена по запросу.

Технические характеристики Nexperia PMV45EN, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
5.40 A
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin TO-236AB
  • Транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:5400mA
  • On Resistance, Rds(on):0.0595ohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V
  • Соответствует RoHS: Да
  • MOSFET, N, SOT-23
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, Vds Тип: 30 В
  • Current, Id Cont:5.4A
  • Resistance, Rds On:0.035ohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 10В
  • Voltage, Vgs th Typ:1.5V
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Тип завершения: SMD
  • Current, Idm Pulse:21.6A
  • Device Marking:PMV45EN
  • Внешняя глубина: 2,5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1,12 мм
  • Количество контактов: 3
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • Power, Pd:2W
  • Power, Ptot:2W
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Voltage, Vds Max:20V
  • Voltage, Vgs th Max:2V
  • Ширина, внешняя: 3,05 мм
  • Width, Tape:8mm

Документы по Nexperia PMV45EN, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(1 страница, 19.09.2012)
Заявление о достижении
(3 страницы, 29.01.2013)

Товары похожие на Nexperia PMV45EN, сравнение характеристик.

Vishay IRFI740GPBF
Цена от 78,73 ₽ до 1 734,01 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 400 V.
Infineon IRF7530TRPBF
Цена от 20,27 ₽ до 433,15 ₽
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7530.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 1.30 W (max).
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FQB5N90TM
Цена от 94,24 ₽ до 277,07 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 900 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-263.
Текущий рейтинг 5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 3.13 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 2.30 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 900 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 900 V.
Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TA
Цена от 56,04 ₽ до 212,59 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.40 A.
Gate Charge 17.5 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Входная емкость 796 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.10 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 35.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.40 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Vishay IRFPE40PBF
Цена от 50,93 ₽ до 541,33 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 800 V.
Текущий рейтинг 5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W (max).
Время нарастания 36.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 800 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 800 V.
STMicroelectronics STP17NK40ZFP
Цена от 144,69 ₽ до 527,12 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 35.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
STMicroelectronics STP7NK40Z
Цена от 41,45 ₽ до 929,19 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 400 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 70.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 400 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 400 V.
Infineon IRF7490TRPBF
Цена от 29,94 ₽ до 576,10 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF7490.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 4.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
STMicroelectronics STP7NK40ZFP
Цена от 51,07 ₽ до 208,32 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC
Цена от 54,23 ₽ до 150,27 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.40 A.
Gate Charge 17.5 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Входная емкость 796 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.40 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
NXP Semiconductors PMN40LN,135
Цена от 13,62 ₽ до 14,81 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-457.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.75 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.