Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Nexperia
SI2304DS,215

Mosfet, N Channel, 30V, 1.7A, 3-SOT-23

Цена от 10,70 ₽ до 21,09 ₽

Наличие Nexperia SI2304DS,215 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 69336 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 10,70 ₽ до 14,60 ₽
Канада
На складе 500 шт.
Обновлено 15:20 23.12.2020
10,70 ₽ от 1 шт.
США
На складе 69336 шт.
Обновлено 09:59 25.12.2020
14,60 ₽ от 1 шт.
14,31 ₽ от 25 шт.
14,02 ₽ от 100 шт.
13,72 ₽ от 500 шт.
13,43 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 677 шт.
Обновлено 17:14 30.11.2020
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 20 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена 21,09 ₽
Япония
На складе 20 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:26 25.12.2020
Упаковка Cut Tape
21,09 ₽ от 5 шт.

Технические характеристики Nexperia SI2304DS,215, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Continuous Drain Current (Ids):
1.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-65.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • MOSFET, N CHANNEL, 30V, 1.7A, 3-SOT-23
  • Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin TO-236AB T/R
  • SI2304DS - N-channel TrenchMOS intermediate level FET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:1.7A
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • On Resistance, Rds(on):117mohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:830mW

Документы по Nexperia SI2304DS,215, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Nexperia SI2304DS,215, сравнение характеристик.