Наличие Nexperia SI2304DS,215 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 500 шт.
Обновлено 15:20 23.12.2020
На складе 69336 шт.
Обновлено 09:59 25.12.2020
На складе 677 шт.
Обновлено 17:14 30.11.2020
Цена по запросу.
На складе 20 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:26 25.12.2020
Упаковка Cut Tape Технические характеристики Nexperia SI2304DS,215, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Continuous Drain Current (Ids):
1.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-65.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- MOSFET, N CHANNEL, 30V, 1.7A, 3-SOT-23
- Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin TO-236AB T/R
- SI2304DS - N-channel TrenchMOS intermediate level FET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:1.7A
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- On Resistance, Rds(on):117mohm
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:830mW
Документы по Nexperia SI2304DS,215, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Nexperia SI2304DS,215, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Continuous Drain Current (Ids) 2.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -65.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 830 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.