Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

NTE Electronics
NTE102A

Transistor, Bipolar, Ge, PNP, Amplifier, Power, IC 1A, PD 650mW, TO-1, VCBO 32V, hFE 295

Цена от 519,85 ₽ до 2 009,43 ₽
Datasheet

Наличие NTE Electronics NTE102A на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 329 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 519,85 ₽ до 975,00 ₽
США
На складе 10 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 12:16 23.02.2021
Упаковка Bulk
779,77 ₽ от 10 шт.
649,81 ₽ от 50 шт.
599,82 ₽ от 100 шт.
556,50 ₽ от 200 шт.
519,85 ₽ от 500 шт.
США
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:00 12.02.2021
810,96 ₽ от 1 шт.
675,80 ₽ от 50 шт.
623,82 ₽ от 100 шт.
578,76 ₽ от 200 шт.
540,64 ₽ от 500 шт.
США
На складе 41 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
563,72 ₽ от 2 шт.
США
На складе 41 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
586,27 ₽ от 1 шт.
США
На складе 93 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:09 23.02.2021
Упаковка Bulk
975,00 ₽ от 1 шт.
926,49 ₽ от 50 шт.
888,36 ₽ от 100 шт.
838,69 ₽ от 250 шт.
США
На складе 329 шт.
Обновлено 20:58 23.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 41 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 649,01 ₽ до 2 009,43 ₽
Китай
На складе 41 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
649,01 ₽ от 1 шт.
Япония
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:16 23.02.2021
2 009,43 ₽ от 1 шт.
1 792,88 ₽ от 5 шт.
1 491,36 ₽ от 10 шт.
Европа 2
В наличии до 20 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 757,73 ₽ до 1 371,92 ₽
Польша
На складе 20 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
953,75 ₽ от 1 шт.
857,46 ₽ от 3 шт.
757,73 ₽ от 10 шт.
Европейский союз
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:59 23.02.2021
1 371,92 ₽ от 1 шт.
1 269,52 ₽ от 3 шт.
1 130,64 ₽ от 10 шт.
1 043,67 ₽ от 25 шт.
969,32 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики NTE Electronics NTE102A, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-1
Текущий рейтинг:
1.00 A
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
90.0 °C (max)
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel, PNP
Рассеяние мощности:
650 mW (max)
RoHS:
Non-Compliant
  • Transistor, Bipolar,Ge,PNP,Amplifier, Power,IC 1A,PD 650mW,TO-1,VCBO 32V,hFE 295
  • Transistor PNP Germanium 32V 1A TO-1 Medium Driver
  • TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1
  • Transistor Po
  • TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1
  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-
  • Transition Frequency ft:-
  • Power Dissipation Pd:650mW
  • DC Collector Current:1A
  • DC Current Gain hFE:63hFE
  • No. of Pins:3Pins
  • Ассортимент продукции: -

Документы по NTE Electronics NTE102A, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(2 страницы, 13.11.2007)

Товары похожие на NTE Electronics NTE102A, сравнение характеристик.

NTE Electronics NTE158
Цена от 599,82 ₽ до 1 732,83 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 15.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-1.
Mounting Style Through Hole.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel, PNP.
Рассеяние мощности 150 mW.
RoHS Non-Compliant.