Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

NTE Electronics
NTE128

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Amplifier, Driver, Switch, VCEO 80V, IC 1A, PD 0.8W

Цена от 178,68 ₽ до 1 747,04 ₽
Datasheet

Наличие NTE Electronics NTE128 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 389 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 374,37 ₽ до 1 747,04 ₽
Европейский союз
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:09 05.03.2021
424,28 ₽ от 1 шт.
420,12 ₽ от 3 шт.
415,96 ₽ от 10 шт.
396,55 ₽ от 25 шт.
379,91 ₽ от 100 шт.
374,37 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 389 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
1 747,04 ₽ от 1 шт.
1 719,31 ₽ от 10 шт.
1 684,64 ₽ от 25 шт.
1 663,85 ₽ от 50 шт.
1 587,59 ₽ от 100 шт.
1 504,39 ₽ от 500 шт.
Америка 10
В наличии до 465 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 178,68 ₽ до 696,87 ₽
США
На складе 94 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 12:23 03.03.2021
Упаковка Bulk
266,91 ₽ от 20 шт.
223,36 ₽ от 50 шт.
205,49 ₽ от 100 шт.
190,97 ₽ от 200 шт.
178,68 ₽ от 500 шт.
США
На складе 94 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 09:58 05.03.2021
277,59 ₽ от 20 шт.
232,29 ₽ от 50 шт.
213,71 ₽ от 100 шт.
198,61 ₽ от 200 шт.
185,83 ₽ от 500 шт.
США
На складе 104 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:06 05.03.2021
Упаковка Bulk
292,69 ₽ от 1 шт.
277,59 ₽ от 50 шт.
265,97 ₽ от 100 шт.
252,03 ₽ от 250 шт.
США
На складе 84 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
309,35 ₽ от 23 шт.
252,39 ₽ от 50 шт.
США
На складе 19 шт.
Обновлено 18:45 03.03.2021
332,17 ₽ от 1 шт.
США
На складе 46 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
696,87 ₽ от 1 шт.
464,58 ₽ от 3 шт.
348,43 ₽ от 7 шт.
США
На складе 18 шт.
Обновлено 20:52 05.03.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 465 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 380 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 480,80 ₽ до 812,19 ₽
Япония
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:13 05.03.2021
702,00 ₽ от 1 шт.
612,57 ₽ от 10 шт.
480,80 ₽ от 50 шт.
Сингапур
На складе 380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
812,19 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики NTE Electronics NTE128, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
80.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-39
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
200 °C (max)
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
800 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Transistor, Bipolar,Si,NPN,Amplifier, Driver, Switch,VCEO 80V,IC 1A,PD 0.8W
  • Transistor NPN Silicon 140V IC-1A TO-39 Audio Output Video Driver
  • Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
  • BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-39
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V
  • Transition Frequency ft:400MHz
  • Power Dissipation Pd:800mW
  • DC Collector Current:1A
  • DC Current Gain hFE:300hFE
  • Transistor Case Style:TO-39
  • No. of Pins:3Pins
  • Максимальная рабочая температура: 200 ° C
  • Ассортимент продукции: -
  • Стандарт автомобильной квалификации: -
  • MSL:-
  • Gain Bandwidth ft Typ:400MHz
  • Hfe Min:15
  • Минимальная рабочая температура: -65 ° C
  • Operating Temperature Range:-65°C to +200°C

Документы по NTE Electronics NTE128, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(3 страницы, 14.06.2000)