NTE Electronics
NTE2319
Transistor NPN Silicon 850V IC=15A TO-3 Case Tf=80ns High Voltage High Speed Switch
Цена от 786,38 ₽ до 2 932,83 ₽
Наличие NTE Electronics NTE2319 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 316 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 917,24 ₽ до 2 932,83 ₽
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:09 23.02.2021
Упаковка Bulk На складе 3 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 1 шт.
Обновлено 18:36 23.02.2021
На складе 2 шт.
Обновлено 19:11 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 316 шт.
Обновлено 20:58 23.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 7 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 1 832,99 ₽ до 2 299,68 ₽
На складе 7 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:16 23.02.2021
В наличии до 7 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 786,38 ₽ до 1 956,88 ₽
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 7 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:59 23.02.2021
Технические характеристики NTE Electronics NTE2319, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
850 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-3
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
200 °C (max)
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN, N-Channel
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
450 V
- Transistor NPN Silicon 850V IC=15A TO-3 Case Tf=80ns High Voltage High Speed Switch
- Transistor, Bipolar,Si,NPN,High Voltage, Power,VCEO 450V,IC 15A,PD 175W,TO-3
- BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-3
- Tra
- BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-3
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V
- Transition Frequency ft:-
- Power Dissipation Pd:175W
- DC Collector Current:15A
- DC Current Gain hFE:5
- Количество контактов: 2
- MSL:-