NXP Semiconductors
MC908GR8CDWE
MCU 8-Bit HC08 CISC 8KB Flash 3.3V/5V 28-Pin SOIC W Rail
Наличие NXP Semiconductors MC908GR8CDWE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 9455 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики NXP Semiconductors MC908GR8CDWE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
8.00 µs
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
8.00 MHz (max), 8.00 MHz
Основная архитектура:
HC08
FLASH Memory Size:
8192 B
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Pending Obsolescence
Mounting Style:
Surface Mount
Количество бит:
8
Number of I/O Pins:
21
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
28
RAM Memory Size:
384 B
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 5.00 V
- MCU 8-Bit HC08 CISC 8KB Flash 3.3V/5V 28-Pin SOIC W Rail
- 8-битный микроконтроллер IC
- Controller Family/Series:HC08
- Memory Size, Flash:8KB
- Memory Size, RAM:384Byte
- No. of I/O Pins:17
- No. of Timers:1
- Clock Speed:8MHz
- Interface:SCI, SPI
- Package/Case:28W-SOIC
- No. of Pins:28
- Соответствует RoHS: Да
- 8BIT MCU 7.5K FLASH, SMD, 908GR8
- SVHC: дихлорид кобальта
- Series:MC908
- Memory Size, Flash:8KB
- Memory Size, RAM:384Byte
- No of I/O Lines:21
- No. of ADC Inputs:6
- Timers, No. of:1
- PWM Channels, No of:3
- Clock Frequency:8MHz
- Interface Type:SCI, SPI
- Напряжение, Мин. Питания: 2,7 В
- Voltage, Supply Max:5.5V
- Тип завершения: SMD
- Case Style:SOIC
- Количество контактов: 28
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- Temp, Op. Max:125°C
- Темп, соч. Мин .: -40 ° C
- Base Number:908
- Bits, Number in ADC:8
- IC Generic Number:908GR8
- Logic Function Number:8CDWE
- Memory Size:7680
- Memory Type:FLASH
- Microprocessor/Controller Features:SPI & SCI Modules, 6-channel 8-bit successive approximation ADC
- No. of Bits:8
- Qualified Segment:COMMERCIAL, INDUSTRIAL
- RAM Size:384Byte
Документы по NXP Semiconductors MC908GR8CDWE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC908GR8CDWE, сравнение характеристик.
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 1536 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 1500 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 4096 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 28.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 1536 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 1536 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 1536 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 1536 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 4096 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 1536 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 1500 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 8000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 192 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 1536 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 1536 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 5.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 5.00 V.
Время доступа 8.00 µs.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 128 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).