NXP Semiconductors
MC9S08QG8CDNE
MCU 8-bit S08 S08 CISC 8KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Rail
Цена от 134,96 ₽ до 584,16 ₽
Наличие NXP Semiconductors MC9S08QG8CDNE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2272 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:47 27.12.2020
На складе 2280 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tube На складе 3430 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 27.12.2020
Упаковка Tube На складе 3450 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
На складе 3450 шт.
MOQ 208 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
На складе 78 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
На складе 78 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
На складе 1887 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2316 шт.
MOQ 98 шт.
Обновлено 07:20 13.12.2020
На складе 98 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:02 15.12.2020
На складе 4122 шт.
Обновлено 02:12 17.12.2020
Технические характеристики NXP Semiconductors MC9S08QG8CDNE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
10.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
10.0 MHz, 20.0 MHz
Основная архитектура:
HCS08
FLASH Memory Size:
8192 B
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество бит:
8
Number of I/O Pins:
4
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
RAM Memory Size:
512 B
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
3.60 V (max), 1.80 V (min)
- MCU 8-bit S08 S08 CISC 8KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Rail
- S08QG 8-bit MCU, S08 core, 8KB Flash, 20MHz, SOIC 8
- IC, 8BIT MCU 8K FLASH, 9S08, NSOIC8
- Семейство / серия контроллеров: HCS08
- Размер ядра: 8 бит
- No. of I/O's:6
- Program Memory Size:8 KB
- RAM Memory Size:512Byte
- CPU Speed:20MHz
- Oscillator Type:External, Internal
- Количество таймеров: 2
- Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer
- Тип встроенного интерфейса: I2C, SCI, SPI
- No. of PWM Channels:2
- Digital IC Case Style:NSOIC
- Диапазон напряжения питания: от 1,8 до 3,6 В
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 85 ° C
- Количество контактов: 8
- MSL: MSL 3 - 168 часов
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
- Clock Frequency:10MHz
- Flash Memory Size:8KB
- IC Generic Number:9S08
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface Type:I2C, SCI, SPI
- Logic Function Number:08
- Memory Size:8
- Memory Type:FLASH
- Microprocessor/Controller Features:I²C, SCI, SPI, COP, POR, MTIM, Comparator
- No. of ADC Inputs:4
- No. of Bits:8
- No. of External Interrupts:4
- No. of I/O's:4
- Number of bits In Timer:16
- Number of bits in ADC:10
- Максимальная рабочая температура: 85 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Упаковка / ящик: NSOIC
Документы по NXP Semiconductors MC9S08QG8CDNE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC9S08QG8CDNE, сравнение характеристик.
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).