Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

NXP Semiconductors
SI2302DS,215

Transistor Mosfet N-ch 20V 2.5A 3-PIN TO-236AB T/r

Цена от 10,01 ₽ до 21,19 ₽
Datasheet

Наличие NXP Semiconductors SI2302DS,215 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 2
В наличии до 60446 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 10,01 ₽ до 10,88 ₽
США
На складе 60446 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
10,88 ₽ от 1 шт.
10,66 ₽ от 25 шт.
10,44 ₽ от 100 шт.
10,23 ₽ от 500 шт.
10,01 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1623 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 5 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена 21,19 ₽
Япония
На складе 5 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
Упаковка Bulk
21,19 ₽ от 5 шт.

Технические характеристики NXP Semiconductors SI2302DS,215, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Continuous Drain Current (Ids):
2.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-65.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • Transistor MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
  • MOSFET, N CH, 20V, 2.5A, SOT23
  • Mosfet, N Channel, 20V, 2.5A, 3-Sot-23
  • СТАНДАРТНАЯ МАРКИРОВКА * БАРАБАН, SMD, НИЗКИЙ ПРОФИЛЬ, 7 '
  • N-channel TrenchMOS logic level FET

Документы по NXP Semiconductors SI2302DS,215, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 24.12.2001)
Заявление Rohs
(1 страница, 19.09.2012)
Заявление о достижении
(3 страницы, 29.01.2013)