ON Semiconductor
1N5818
1N58 Series 875 mV 3 A 30 V Max Reverse Voltage Schottky Barrier Rectifier-DO-41
Цена от 3,33 ₽ до 152,13 ₽
Наличие ON Semiconductor 1N5818 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 5108 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 7738 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 9829 шт.
MOQ 926 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 5101 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 60 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
На складе 9663 шт.
MOQ 10684 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 466 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 218 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 2000 шт.
MOQ 645 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 5108 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor 1N5818, атрибуты и параметры.
Емкость:
110 pF
Тип корпуса / Кейс:
DO-41
Текущий рейтинг:
1.00 A
Прямое напряжение:
550 mV
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-65.0 °C to 125 °C
Выходной ток:
1.00 A (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
2
Полярность:
Standard
Рассеяние мощности:
1.25 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- 1N58 Series 875 mV 3 A 30 V Max Reverse Voltage Schottky Barrier Rectifier-DO-41
- Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R
- Diode Rectifier 1N5818 ON SEMI Ampere=1 V=30 DO41
- 1.0 A, 30 V, Schottky Rectifier
- ...employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry
- Schottky Rectifer RoHS Compliant:Yes