ON Semiconductor
1PMT5.0AT1G
TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE / Diode TVS Single Uni-Dir 5V 1KW 2-Pin Power Mite T/R
Цена от 16,12 ₽ до 23,73 ₽
Наличие ON Semiconductor 1PMT5.0AT1G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 8500 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 16,12 ₽ до 23,73 ₽
На складе 8500 шт.
MOQ 270 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 642 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 720 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 720 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor 1PMT5.0AT1G, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
6.70 V
Тип корпуса / Кейс:
POWERMITE
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
2
Номинальная мощность:
200 W
RoHS:
Compliant
Size-Height:
1.15 mm
Size-Length:
2.18 mm
Size-Width:
2.05 mm
Номинальное напряжение (постоянный ток):
5.00 V
- TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE / Diode TVS Single Uni-Dir 5V 1KW 2-Pin Power Mite T/R
- 1PMT5.0A: 200 Watt Powermite¬ Transient Voltage Suppressors 5.0 V Unidir
- 1PMT5.0AT1G
- Однонаправленный диод TVS
- 200W
- 2-Pin Powermite
- ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
- TVS DIODE, 200W, 5V, DO-216AA, FULL REEL
- Диод подавления переходных напряжений
- Reverse Stand-Off Voltage, VRWM:5V
- Clamping Voltage Max, Vc:9.2V
- Тип завершения: SMD
- Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 175 ° C
- Package/Case:POWERMITE
- Breakdown Voltage, Vbr:6.7V
- Соответствует RoHS: Да
