Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

ON Semiconductor
2N3771G

Transistor, Bipolar, Si, NPN, High Power, VCEO 40VDC, IC 30A, PD 150W, TO-204, hFE 5

Цена от 399,34 ₽ до 3 552,50 ₽

Наличие ON Semiconductor 2N3771G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 10600 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 399,34 ₽ до 827,28 ₽
США
На складе 339 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tray
709,57 ₽ от 1 шт.
566,56 ₽ от 10 шт.
566,56 ₽ от 50 шт.
506,05 ₽ от 100 шт.
401,54 ₽ от 1000 шт.
399,34 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 10600 шт.
Обновлено 10:08 15.02.2021
481,87 ₽ от 1 шт.
472,22 ₽ от 25 шт.
462,59 ₽ от 100 шт.
452,95 ₽ от 500 шт.
443,31 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 321 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Tray
827,28 ₽ от 1 шт.
708,91 ₽ от 10 шт.
660,20 ₽ от 25 шт.
590,71 ₽ от 100 шт.
555,97 ₽ от 300 шт.
521,22 ₽ от 500 шт.
469,10 ₽ от 1000 шт.
458,93 ₽ от 2400 шт.
США
На складе 33 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:34 13.02.2021
736,81 ₽ от 1 шт.
634,98 ₽ от 10 шт.
598,37 ₽ от 25 шт.
562,90 ₽ от 50 шт.
526,29 ₽ от 100 шт.
495,40 ₽ от 250 шт.
499,98 ₽ от 500 шт.
США
На складе 33 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 15.02.2021
759,69 ₽ от 1 шт.
657,87 ₽ от 10 шт.
621,25 ₽ от 25 шт.
585,79 ₽ от 50 шт.
549,17 ₽ от 100 шт.
518,28 ₽ от 250 шт.
США
На складе 77 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 86 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 529,06 ₽ до 3 552,50 ₽
Польша
На складе 76 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
715,25 ₽ от 1 шт.
632,37 ₽ от 3 шт.
585,82 ₽ от 10 шт.
529,06 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 86 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
868,17 ₽ от 1 шт.
741,85 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 16 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:30 15.02.2021
3 552,50 ₽ от 1 шт.
2 775,39 ₽ от 10 шт.
2 164,80 ₽ от 100 шт.
2 026,03 ₽ от 500 шт.
1 942,77 ₽ от 1000 шт.
Азия 3
В наличии до 100 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 474,68 ₽ до 920,91 ₽
Китай
На складе 100 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
579,31 ₽ от 100 шт.
574,14 ₽ от 200 шт.
512,55 ₽ от 500 шт.
479,48 ₽ от 1000 шт.
474,68 ₽ от 2000 шт.
Сингапур
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:51 15.02.2021
920,91 ₽ от 1 шт.
792,77 ₽ от 10 шт.
657,93 ₽ от 100 шт.
618,72 ₽ от 200 шт.
580,47 ₽ от 500 шт.
535,52 ₽ от 1000 шт.
512,57 ₽ от 2000 шт.
Сингапур
На складе 33 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:51 15.02.2021
920,91 ₽ от 1 шт.
792,77 ₽ от 10 шт.
657,93 ₽ от 100 шт.
618,72 ₽ от 200 шт.
580,47 ₽ от 500 шт.
535,52 ₽ от 1000 шт.
519,27 ₽ от 2000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor 2N3771G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
40.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-204-2
Текущий рейтинг:
30.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
200 °C (max)
Упаковка:
Tray
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
150 W (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • Transistor, Bipolar,Si,NPN,High Power,VCEO 40VDC,IC 30A,PD 150W,TO-204,hFE 5
  • 2N Series 40 V 30 A High-Power NPN Silicon Power Transistor - TO-204AA
  • Trans GP BJT NPN 40V 30A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Документы по ON Semiconductor 2N3771G, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor 2N3771G, сравнение характеристик.