ON Semiconductor
2N7002MTF
N-Channel 60 V 5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-23
Цена от 2,30 ₽ до 80,99 ₽
Наличие ON Semiconductor 2N7002MTF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 1050 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 2,30 ₽ до 3,33 ₽
На складе 1050 шт.
MOQ 1925 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 216 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 12196 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 24,30 ₽ до 80,99 ₽
На складе 400 шт.
Обновлено 11:12 13.02.2021
На складе 1500 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 892 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 385 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 12196 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2815 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 2815 шт.
Обновлено 09:10 10.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 892 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 892 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor 2N7002MTF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23, TO-92
Текущий рейтинг:
115 mA
Continuous Drain Current (Ids):
200 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
5.00 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- N-Channel 60 V 5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-23
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115m/Cel, Surface Mount, 0603
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
- MOSFET, N, SMD, SOT23
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:115mA
- Напряжение источника стока Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on):5ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,5 В
- Power Dissipation Pd:200mW
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Id Max:200mA
- Упаковка / ящик: SOT-23
- Power Dissipation Pd:200mW
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:60V
- Максимальное напряжение Vgs: 2,5 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Документы по ON Semiconductor 2N7002MTF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor 2N7002MTF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 115 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 115 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 5.00 Ω, 7.50 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.