Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E

N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP

Цена от 5,64 ₽ до 335,50 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Newark
На складе 969 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
5,64 ₽ от 1 шт.
5,64 ₽ от 10 шт.
5,64 ₽ от 100 шт.
5,64 ₽ от 500 шт.
Rochester Electronics
На складе 1797000 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
7,42 ₽ от 1 шт.
7,28 ₽ от 25 шт.
7,13 ₽ от 100 шт.
6,98 ₽ от 500 шт.
6,83 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 1797000 шт.
MOQ 5220 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
7,57 ₽ от 5220 шт.
7,56 ₽ от 5300 шт.
7,39 ₽ от 11000 шт.
7,34 ₽ от 27000 шт.
7,28 ₽ от 53000 шт.
7,23 ₽ от 270000 шт.
7,17 ₽ от 530000 шт.
Mouser
На складе 10800 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel
52,04 ₽ от 1 шт.
33,88 ₽ от 10 шт.
33,88 ₽ от 50 шт.
15,06 ₽ от 100 шт.
11,18 ₽ от 1000 шт.
7,64 ₽ от 10000 шт.
Newark
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
13,01 ₽ от 3000 шт.
10,94 ₽ от 6000 шт.
9,67 ₽ от 12000 шт.
9,10 ₽ от 18000 шт.
8,18 ₽ от 30000 шт.
Verical
На складе 430 шт.
MOQ 239 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
8,20 ₽ от 239 шт.
Digi-Key
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Tape & Reel
10,30 ₽ от 3000 шт.
9,85 ₽ от 6000 шт.
Digi-Key
На складе 4215 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
52,04 ₽ от 1 шт.
36,43 ₽ от 10 шт.
33,88 ₽ от 25 шт.
18,39 ₽ от 100 шт.
15,00 ₽ от 500 шт.
11,13 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:26 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
37,51 ₽ от 1 шт.
27,58 ₽ от 10 шт.
27,38 ₽ от 25 шт.
13,99 ₽ от 100 шт.
Avnet
На складе 969 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
16,12 ₽ от 1 шт.
Corohmni
На складе 2 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 6013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
RS Components
На складе 200 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 16:27 20.02.2021
42,51 ₽ от 50 шт.
39,15 ₽ от 250 шт.
36,92 ₽ от 500 шт.
33,88 ₽ от 1250 шт.
31,16 ₽ от 2500 шт.
RS Components
На складе 4050 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 16:27 20.02.2021
42,51 ₽ от 50 шт.
39,15 ₽ от 250 шт.
36,92 ₽ от 500 шт.
33,88 ₽ от 1250 шт.
31,16 ₽ от 2500 шт.
Farnell
На складе 767 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:32 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
335,50 ₽ от 5 шт.
190,11 ₽ от 10 шт.
88,07 ₽ от 100 шт.
62,91 ₽ от 500 шт.
Chip One Stop Japan
На складе 430 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 11:29 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
10,89 ₽ от 25 шт.
10,35 ₽ от 50 шт.
6,25 ₽ от 100 шт.
element14 APAC
На складе 767 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:55 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
69,01 ₽ от 1 шт.
44,76 ₽ от 10 шт.
19,83 ₽ от 100 шт.
14,63 ₽ от 1000 шт.
11,74 ₽ от 3000 шт.
10,11 ₽ от 9000 шт.
10,01 ₽ от 24000 шт.
9,14 ₽ от 45000 шт.
Arrow.cn
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 20.02.2021
41,61 ₽ от 1 шт.
30,53 ₽ от 10 шт.
30,30 ₽ от 25 шт.
13,44 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW
RoHS:
Compliant
  • N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP
  • Junction FET 30V 10mA IDSS 0.6 to 10 mA N-Channel Single CP
  • Trans JFET N-CH 30V 10mA Si 3-Pin Case CP T/R
  • Amplifier
  • RF, J-FET, N-ch, 30V, 10mA, 1.1pF, CP
  • JFET, N CH 30V 0.01A SOT23
  • Transistor Type:JFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage V(br)gss:30V
  • Min Current Idss:600µA
  • Max Current Idss:6mA
  • Max Voltage Vgs Off:2.2V
  • Стиль корпуса: CP
  • Тип завершения: SMD
  • Max Voltage Vds:30V
  • Zero Gate Voltage Drain Current Range Idss:0.6mA to 6mA
  • Рассеиваемая мощность: 200 мВт

Документы по ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(4 страницы, 04.04.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)