ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E
N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP
Цена от 5,64 ₽ до 335,50 ₽
Наличие ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW
RoHS:
Compliant
- N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP
- Junction FET 30V 10mA IDSS 0.6 to 10 mA N-Channel Single CP
- Trans JFET N-CH 30V 10mA Si 3-Pin Case CP T/R
- Amplifier
- RF, J-FET, N-ch, 30V, 10mA, 1.1pF, CP
- JFET, N CH 30V 0.01A SOT23
- Transistor Type:JFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage V(br)gss:30V
- Min Current Idss:600µA
- Max Current Idss:6mA
- Max Voltage Vgs Off:2.2V
- Стиль корпуса: CP
- Тип завершения: SMD
- Max Voltage Vds:30V
- Zero Gate Voltage Drain Current Range Idss:0.6mA to 6mA
- Рассеиваемая мощность: 200 мВт
