ON Semiconductor
4N35TVM
Оптопара DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
Цена от 16,56 ₽ до 104,35 ₽
Наличие ON Semiconductor 4N35TVM на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 836 шт.
MOQ 43 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 836 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 6539 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Bulk На складе 15480 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 24.02.2021
На складе 1000 шт.
Обновлено 10:06 24.02.2021
На складе 973 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 23.02.2021
Упаковка Tube На складе 2000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 9480 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 03:02 24.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 27513 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1290 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1540 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2032 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 07:33 24.02.2021
На складе 525 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 836 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 2000 шт.
MOQ 155 шт.
Обновлено 13:21 24.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor 4N35TVM, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Входной ток:
60.0 mA (max)
Input Voltage (DC):
1.18 V
Напряжение изоляции:
5.30 kV
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
100 °C (max)
Выходное напряжение:
30.0 V (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
6
Время нарастания:
2.00 µs
RoHS:
Compliant
- Оптопара DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
- White Single Channel 30 V 4170 V Through Hole Phototransistor Optocoupler-DIP-6
- 6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
- Optocoupler DC Input 1 Channel Trans W/Base DC Output 6-Pin Plastic Dip White Bulk
- The general purpose optocouplers consist of a galliumarsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistorin a 6-pin dual in-line package.
Документы по ON Semiconductor 4N35TVM, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor 4N35TVM, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Прямое напряжение 1.25 V.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 3.75 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 32.0 V.
Тип корпуса / Кейс PDIP, DIP.
Прямое напряжение 1.25 V.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 32.0 V.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.25 V.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Входной ток 50.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 30.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
Рассеяние мощности 100 mW.
Время нарастания 5.00 µs.
RoHS Compliant.
Тип корпуса / Кейс PDIP, DIP.
Прямое напряжение 1.25 V.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 32.0 V.
Емкость 25.0 pF.
Тип корпуса / Кейс PDIP, DIP.
Прямое напряжение 1.25 V.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 3.75 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 32.0 V.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Прямое напряжение 1.20 V.
Входной ток 30.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Выходное напряжение 600 V (max), 600 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
Потребляемая мощность 100 mW.
RoHS Compliant.
Емкость 25.0 pF.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Прямое напряжение 1.35 V.
Входной ток 10.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -55.0 °C (min).
Выходное напряжение 460 V, 600 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
Рассеяние мощности 100 mW.
RoHS Compliant.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Входной ток 10.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV, 5.00 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 70.0 V, 30.0 V.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.30 V.
Емкость 40.0 pF.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Прямое напряжение 1.35 V.
Входной ток 10.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -55.0 °C (min).
Выходное напряжение 460 V.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 6.
Рассеяние мощности 100 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Входной ток 60.0 mA.
Напряжение изоляции 5.30 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура 100 °C (max).
Выходное напряжение 30.0 V, 70.0 V.
Упаковка Tube.
Количество выводов 6.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.10 V.