Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

ON Semiconductor
BC637G

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226

Цена от 5,44 ₽ до 38,75 ₽

Наличие ON Semiconductor BC637G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 117800 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,44 ₽ до 35,12 ₽
США
На складе 117800 шт.
MOQ 6411 шт.
Обновлено 10:34 13.02.2021
6,34 ₽ от 6411 шт.
6,25 ₽ от 6500 шт.
6,07 ₽ от 13000 шт.
5,93 ₽ от 33000 шт.
5,71 ₽ от 65000 шт.
5,58 ₽ от 330000 шт.
5,44 ₽ от 650000 шт.
США
На складе 117800 шт.
Обновлено 10:08 15.02.2021
6,01 ₽ от 1 шт.
5,89 ₽ от 25 шт.
5,77 ₽ от 100 шт.
5,64 ₽ от 500 шт.
5,53 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 43925 шт.
MOQ 274 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
19,14 ₽ от 274 шт.
16,39 ₽ от 500 шт.
14,41 ₽ от 1000 шт.
11,55 ₽ от 2500 шт.
11,11 ₽ от 5000 шт.
10,67 ₽ от 10000 шт.
10,34 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 43925 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:17 15.02.2021
35,12 ₽ от 1 шт.
31,46 ₽ от 25 шт.
19,90 ₽ от 100 шт.
17,05 ₽ от 500 шт.
14,99 ₽ от 1000 шт.
12,01 ₽ от 2500 шт.
11,56 ₽ от 5000 шт.
11,10 ₽ от 10000 шт.
10,75 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 100 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 301 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 782 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 5000 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 5000 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 44150 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 11,86 ₽ до 38,75 ₽
Китай
На складе 44150 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
38,75 ₽ от 1 шт.
34,71 ₽ от 25 шт.
21,95 ₽ от 100 шт.
18,81 ₽ от 500 шт.
16,53 ₽ от 1000 шт.
13,25 ₽ от 2500 шт.
17,29 ₽ от 5000 шт.
16,66 ₽ от 10000 шт.
11,86 ₽ от 25000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor BC637G, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
1.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
625 mW (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
  • Trans GP BJT NPN 60V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box
  • Сильноточный биполярный транзистор NPN
  • HIGH CURRENT TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-92
  • Полярность транзистора: NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер, В (br) ceo: 60V
  • Transition Frequency Typ, ft:200MHz
  • Рассеиваемая мощность, Pd: 625 мВт
  • Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по ON Semiconductor BC637G, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor BC637G, сравнение характеристик.