ON Semiconductor
BD135G
Transistor, Bipolar, Si, NPN, Medium Power, VCEO 45VDC, IC 1.5A, PD 12.5W, TO-225AA
Цена от 14,77 ₽ до 369,53 ₽
Наличие ON Semiconductor BD135G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 80000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 16,67 ₽ до 74,74 ₽
На складе 1451 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:08 29.12.2020
На складе 15563 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
На складе 1695 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:19 28.12.2020
На складе 770 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:59 28.12.2020
Упаковка Bulk На складе 1314 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 28.12.2020
Упаковка Bulk На складе 80000 шт.
Обновлено 09:58 29.12.2020
На складе 1451 шт.
MOQ 345 шт.
Обновлено 17:40 28.12.2020
На складе 3063 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 04:08 29.12.2020
На складе 1476 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
На складе 1168 шт.
Обновлено 11:13 28.12.2020
На складе 619 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
На складе 4250 шт.
Обновлено 23:02 14.12.2020
Цена по запросу.
На складе 3076 шт.
Обновлено 23:13 18.12.2020
Цена по запросу.
На складе 4682 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 107 шт.
Обновлено 02:06 29.12.2020
Цена по запросу.
В наличии до 1500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,70 ₽ до 369,53 ₽
На складе 1500 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 07:20 13.12.2020
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:27 28.12.2020
На складе 1393 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 29.12.2020
На складе 350 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:25 28.12.2020
Цена по запросу.
В наличии до 5970 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 14,77 ₽ до 103,39 ₽
На складе 1460 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:03 28.12.2020
На складе 1353 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 28.12.2020
На складе 329 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:16 28.12.2020
На складе 5970 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:32 21.12.2020
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor BD135G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
45.0 V
Текущий рейтинг:
1.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.25 W (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
45.0 V
- Transistor, Bipolar,Si,NPN,Medium Power,VCEO 45VDC,IC 1.5A,PD 12.5W,TO-225AA
- 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
- Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
- BD Series 45 V 1.5 A Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor - TO-225AA
- Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
- Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W NPN
- This series of plastic medium-power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Документы по ON Semiconductor BD135G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor BD135G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 45.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 100 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 45.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 45.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-126.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 36.0 W (max).
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 45.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 45.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 800 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 1.50 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 45.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 45.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 100 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 45.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 45.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 100 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 1.50 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 45.0 V.