ON Semiconductor
BSS123
Транзисторный полевой МОП-транзистор с отрицательным каналом, 100 В, 0,17 А, 3-контактный SOT-23
Цена от 1,15 ₽ до 151,92 ₽
Наличие ON Semiconductor BSS123 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2072500 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 1,15 ₽ до 151,92 ₽
На складе 36300 шт.
Обновлено 10:42 11.02.2021
На складе 2072500 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
На складе 221828 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 2140 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 747000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 823606 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2907 шт.
Обновлено 10:29 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 990 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2670000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 2,21 ₽ до 37,52 ₽
На складе 507000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 507000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
На складе 654000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 174000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 48500 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
На складе 1745500 шт.
MOQ 6000 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
На складе 2670000 шт.
MOQ 6000 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
На складе 726000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 367834 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 693000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
На складе 435000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 31282 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 656256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 436420 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 809481 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 3000 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 397 шт.
Обновлено 23:25 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 5760 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1065013 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2016 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 5051 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 6098 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1180004 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 2,79 ₽ до 46,37 ₽
На складе 1180004 шт.
MOQ 1565 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 390000 шт.
MOQ 30000 шт.
Обновлено 12:14 16.02.2021
На складе 19120 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:24 16.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 693000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 812668 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики ON Semiconductor BSS123, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
170 mA
Gate Charge:
2.50 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 mA
Входная емкость:
73.0 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
360 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
6.00 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
- Транзисторный полевой МОП-транзистор с отрицательным каналом, 100 В, 0,17 А, 3-контактный SOT-23
- N-Channel 100 V 6 Ohm Logic Level Enhancement Mode FET - SOT-23-3
- This N-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance.The BSS123 is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
- MOSFET, N, SOT-23
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:170mA
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on):6ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,7 В
- Power Dissipation Pd:360mW
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:170mA
- Текущая температура: 25 ° C
- Device Marking:BSS123
- Внешняя глубина: 2,5 мм
- Внешняя длина / высота: 1,12 мм
- Внешняя ширина: 3,05 мм
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Количество транзисторов: 1
- Упаковка / ящик: SOT-23
- Power Dissipation Pd:360mW
- Power Dissipation Pd:360mW
- Pulse Current Idm:680mA
- SMD Marking:SA
- Ширина ленты: 8 мм
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:100V
- Voltage Vgs Max:1.7V
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:2V