ON Semiconductor
BSS138LT3G
BSS138LT3G N-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 50 V; 3-Pin SOT-23
Цена от 2,68 ₽ до 183,76 ₽
Наличие ON Semiconductor BSS138LT3G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 125650 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 5,99 ₽ до 183,76 ₽
На складе 3125 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 125650 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 83558 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
На складе 9110 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 100 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 372588 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 2,68 ₽ до 31,10 ₽
На складе 10000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 90000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 90000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 173198 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 20000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 67488 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 20000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 20000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 20000 шт.
MOQ 8197 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 20000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 372588 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 151 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 24792 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 68608 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 10 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 90013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 346500 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 90000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 3,44 ₽ до 36,83 ₽
На складе 90000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 50000 шт.
MOQ 1115 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 11150 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 67488 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 87922 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor BSS138LT3G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
50.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Текущий рейтинг:
200 mA
Halogen Free Status:
Halogen Free
Continuous Drain Current (Ids):
200 mA
Входная емкость:
50.0 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.50 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
50.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
50.0 V
- BSS138LT3G N-channel MOSFET Transistor
- 0.2 A
- 50 В
- 3-контактный SOT-23
- Small Signal MOSFET 50V 200mA 3.5 Ohm Single N-Channel SOT-23 Logic Level
- N-Channel 50 V 3.5 Ohm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
- N-Channel Power MOSFET, Logic Level, 50V, 200mA, 3.5Ω
- MOSFET N Trench 50V 200mA 1.5V @ 1mA 3.5 ¦¸ @ 200mA,5V SOT-23(SOT-23-3) RoHS
- N CHANNEL MOSFET, 50V, 200mA SOT-23, FULL REEL
- Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
- N Channel Mosfet, 50V, 200Ma Sot-23, Full Reel
- Полярность транзистора: n канал
- Drain Source Voltage Vds:50V
- Continuous Drain Current Id:200Ma
- On Resistance Rds(On):5.6Ohm
- Transistor Mounting:surface Mount
- Количество контактов: 3 контакта Соответствие Rohs: Да
Документы по ON Semiconductor BSS138LT3G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor BSS138LT3G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 50.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 200 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 200 mA.
Входная емкость 50.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.50 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 50.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 50.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 50.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 200 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 200 mA.
Входная емкость 50.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 360 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.50 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 50.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 50.0 V.