Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Тиристоры  »  SCR

ON Semiconductor
C106BG

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR 200 V

Цена от 18,59 ₽ до 57,47 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor C106BG на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 6656 шт.
MOQ 1886 шт.
Обновлено 02:48 24.02.2021
21,64 ₽ от 1886 шт.
21,34 ₽ от 1900 шт.
20,73 ₽ от 3800 шт.
20,27 ₽ от 9500 шт.
19,51 ₽ от 19000 шт.
19,05 ₽ от 95000 шт.
18,59 ₽ от 190000 шт.
Rochester Electronics
На складе 6656 шт.
Обновлено 10:06 24.02.2021
20,52 ₽ от 1 шт.
20,10 ₽ от 25 шт.
19,70 ₽ от 100 шт.
19,29 ₽ от 500 шт.
18,87 ₽ от 1000 шт.
Component Electronics
На складе 50 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
57,47 ₽ от 1 шт.
Corohmni
На складе 450 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
Kenton Components
На складе 120 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor C106BG, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-225-3
Текущий рейтинг:
4.00 A
Halogen Free Status:
Halogen Free
Holding Current:
3.00 mA (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество выводов:
3
Упаковка:
Box
Количество выводов:
3
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
8.00 V/μs
Номинальное напряжение (постоянный ток):
200 V
  • Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR 200 V
  • Diode,SCR,Vr 200V,If 4A,Pkg TO-225AA,Vf 2.2V,I2T 1.65A2s,Tj +110degc,Cs 20A
  • Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature light and speed control
  • process and remote control and warning systems where reliability of operation is important.
  • SCR Thyristor
  • Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V
  • Gate Trigger Current Max, Igt:200µA
  • Current, It av:4A
  • On State RMS Current, IT(rms):20A
  • Gate Trigger Voltage Max, Vgt:800mV
  • Leaded Process Compatible:Yes
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по ON Semiconductor C106BG, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 12.09.2011)
Заявление Rohs
(1 страница, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)