Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDB045AN08A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 80 A, 4.5 mΩ

Цена от 79,93 ₽ до 630,95 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDB045AN08A0 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 13
В наличии до 12560 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 79,93 ₽ до 630,95 ₽
США
На складе 117 шт.
Обновлено 19:02 04.03.2021
128,67 ₽ от 1 шт.
102,35 ₽ от 25 шт.
96,50 ₽ от 50 шт.
89,68 ₽ от 74 шт.
79,93 ₽ от 99 шт.
США
На складе 1479 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
298,37 ₽ от 1 шт.
254,17 ₽ от 10 шт.
254,17 ₽ от 50 шт.
203,33 ₽ от 100 шт.
161,34 ₽ от 1000 шт.
161,34 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 12560 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
209,75 ₽ от 1 шт.
205,56 ₽ от 25 шт.
201,36 ₽ от 100 шт.
197,17 ₽ от 500 шт.
192,97 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 328 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
343,63 ₽ от 1 шт.
293,07 ₽ от 10 шт.
231,00 ₽ от 100 шт.
196,53 ₽ от 500 шт.
США
На складе 328 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
343,63 ₽ от 1 шт.
293,07 ₽ от 10 шт.
231,00 ₽ от 100 шт.
196,53 ₽ от 500 шт.
США
На складе 130 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
328,21 ₽ от 1 шт.
275,72 ₽ от 10 шт.
260,27 ₽ от 25 шт.
223,09 ₽ от 100 шт.
США
На складе 3200 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
257,44 ₽ от 800 шт.
240,20 ₽ от 3200 шт.
Канада
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
445,85 ₽ от 1 шт.
340,61 ₽ от 50 шт.
323,64 ₽ от 100 шт.
304,40 ₽ от 250 шт.
289,69 ₽ от 500 шт.
США
На складе 7 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
630,95 ₽ от 1 шт.
420,63 ₽ от 3 шт.
США
На складе 35 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 463 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 793 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2400 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 10 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 155,10 ₽ до 224,67 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
224,67 ₽ от 1 шт.
198,44 ₽ от 5 шт.
179,05 ₽ от 25 шт.
167,64 ₽ от 100 шт.
155,10 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 10 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDB045AN08A0, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-263
Текущий рейтинг:
19.0 A
Gate Charge:
92.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Входная емкость:
6.60 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
310 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.90 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
88.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 80 A, 4.5 mΩ
  • Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • MOSFET, N, SMD, TO-263AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):4.5mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:310W
  • Transistor Case Style:TO-263AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:80A
  • Package / Case:TO-263AB
  • Power Dissipation Pd:310W
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по ON Semiconductor FDB045AN08A0, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 18.05.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 30.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)