ON Semiconductor
FDC6401N
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 3.0A, 70mΩ
Цена от 13,42 ₽ до 349,10 ₽
Наличие ON Semiconductor FDC6401N на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 15000 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 16,12 ₽ до 349,10 ₽
На складе 12000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:36 10.02.2021
На складе 2064 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 13320 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 4528 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 1000 шт.
Обновлено 03:34 08.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 160485 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,42 ₽ до 253,32 ₽
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 30000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 135000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 2188 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
На складе 87000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 9552 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 160485 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
На складе 2131 шт.
MOQ 48 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 2131 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 137750 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2188 шт.
MOQ 404 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 15503 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 102000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 2440 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 195 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
На складе 50 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 701 шт.
Обновлено 17:26 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9013 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9240 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 10164 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 90234 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,37 ₽ до 71,73 ₽
На складе 90234 шт.
MOQ 215 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 1471 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 09.02.2021
На складе 2131 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 4128 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 3000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDC6401N, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SSOT
Текущий рейтинг:
3.00 A
Gate Charge:
3.30 nC
Continuous Drain Current (Ids):
3.00 A
Входная емкость:
324 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
960 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
70.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
7.00 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 3.0A, 70mΩ
- Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
- MOSFET, DUAL, N, SMD, SUPERSOT-6
- Transistor Polarity:N Channel
- Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 900 мВ
- Power Dissipation Pd:960mW
- Transistor Case Style:SuperSOT
- Количество контактов: 6
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Идентификатор постоянного тока утечки: 3A
- Максимальный ток Id: 3A
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- Конфигурация модуля: двойной
- На сопротивлении Rds (вкл.): 70 МОм
- Package / Case:SuperSOT-6
- Power Dissipation Pd:960mW
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds Typ: 20 В
- Максимальное напряжение Vgs: 900 мВ
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
- This Dual N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.