ON Semiconductor
FDC645N
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 5.5A, 26mΩ
Цена от 13,63 ₽ до 295,99 ₽
Наличие ON Semiconductor FDC645N на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 51000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 13,89 ₽ до 295,99 ₽
На складе 51000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 3480 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 23202 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 820 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 55440 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,63 ₽ до 173,28 ₽
На складе 18000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 1230 шт.
MOQ 443 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 42000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 33 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 6000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 1699 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 12000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 3000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2265 шт.
MOQ 59 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 828 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 3000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 886 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
На складе 102 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 55440 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 20425 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,78 ₽ до 67,66 ₽
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 3659 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 20425 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2265 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Упаковка Cut Tape Технические характеристики ON Semiconductor FDC645N, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SSOT
Текущий рейтинг:
5.50 A
Gate Charge:
13.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
5.50 A
Входная емкость:
1.46 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.60 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
30.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
9.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 5.5A, 26mΩ
- N-Channel 30 V 26 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6
- This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
- MOSFET, N, SUPERSOT-6
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 5,5 А
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on):26mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SuperSOT
- Количество контактов: 6
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Максимальный ток Id: 5,5 А
- Текущая температура: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Package / Case:SuperSOT-6
- Рассеиваемая мощность Pd: 1,6 Вт
- Рассеиваемая мощность Pd: 1,6 Вт
- Импульсный ток Idm: 20A
- SMD Marking:FDC645N
- Тип завершения: SMD
- Uni / Bi Directional Polarity:N
- Напряжение Vds: 30 В
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Максимальное напряжение Vgs: 12 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:2V