Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDD5612

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 18A, 55mΩ

Цена от 37,05 ₽ до 615,42 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDD5612 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 15
В наличии до 39492 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 37,05 ₽ до 107,94 ₽
США
На складе 5000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
37,05 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 39492 шт.
Обновлено 09:58 18.02.2021
41,90 ₽ от 1 шт.
41,05 ₽ от 25 шт.
40,21 ₽ от 100 шт.
39,37 ₽ от 500 шт.
38,54 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
39,03 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 1737 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
69,12 ₽ от 22 шт.
53,44 ₽ от 100 шт.
50,82 ₽ от 500 шт.
39,90 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3735 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tape & Reel
89,72 ₽ от 1 шт.
74,99 ₽ от 10 шт.
74,99 ₽ от 50 шт.
58,93 ₽ от 100 шт.
47,63 ₽ от 1000 шт.
40,65 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1737 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
83,80 ₽ от 1 шт.
71,88 ₽ от 10 шт.
55,58 ₽ от 100 шт.
52,85 ₽ от 500 шт.
41,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 700 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:17 17.02.2021
Упаковка Cut Tape
103,01 ₽ от 1 шт.
84,62 ₽ от 10 шт.
83,07 ₽ от 25 шт.
65,84 ₽ от 100 шт.
55,80 ₽ от 500 шт.
45,46 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4231 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:58 18.02.2021
107,94 ₽ от 1 шт.
92,27 ₽ от 10 шт.
71,07 ₽ от 100 шт.
61,40 ₽ от 500 шт.
52,18 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 15 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
Упаковка Cut Tape
90,66 ₽ от 1 шт.
76,49 ₽ от 10 шт.
США
На складе 573 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10000 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 18:23 17.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1989 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5775 шт.
Обновлено 00:10 18.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10164 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 5000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 38,59 ₽ до 615,42 ₽
Европейский союз
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:39 18.02.2021
46,86 ₽ от 2500 шт.
44,10 ₽ от 5000 шт.
41,34 ₽ от 10000 шт.
39,97 ₽ от 15000 шт.
38,59 ₽ от 20000 шт.
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
94,87 ₽ от 1 шт.
60,58 ₽ от 5 шт.
48,01 ₽ от 25 шт.
43,44 ₽ от 100 шт.
40,01 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 4317 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
615,42 ₽ от 1 шт.
454,27 ₽ от 10 шт.
330,63 ₽ от 100 шт.
288,96 ₽ от 500 шт.
232,00 ₽ от 1000 шт.
227,83 ₽ от 5000 шт.
Азия 3
В наличии до 10000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 55,78 ₽ до 127,47 ₽
Сингапур
На складе 4231 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
127,47 ₽ от 1 шт.
113,09 ₽ от 10 шт.
107,34 ₽ от 25 шт.
80,79 ₽ от 100 шт.
68,53 ₽ от 500 шт.
55,78 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 15 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:49 17.02.2021
100,47 ₽ от 1 шт.
84,77 ₽ от 10 шт.
Израиль
На складе 10000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDD5612, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
18.0 A
Gate Charge:
7.50 nC
Continuous Drain Current (Ids):
18.0 A
Входная емкость:
660 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
42.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
36.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
4.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 18A, 55mΩ
  • N-Channel 60 V 55 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252-3
  • ТРАНЗИСТОР, МОП-транзистор
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 18A
  • Напряжение источника стока Vds: 60 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 55 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,4 В
  • Power Dissipation Pd:3.8W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:TO-252
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Максимальный ток Id: 18A
  • Package / Case:TO-252
  • Power Dissipation Pd:3.8W
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:60V
  • Voltage Vgs Max:2.4V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

Документы по ON Semiconductor FDD5612, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 14.12.2001)
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 30.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)