ON Semiconductor
FDD6690A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ
Цена от 22,61 ₽ до 778,54 ₽
Наличие ON Semiconductor FDD6690A на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 54019 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 39,17 ₽ до 135,52 ₽
На складе 2245 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 3225 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 4448 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 25000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4628 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 54019 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 2500 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 2248 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 23100 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 4720 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 63,05 ₽ до 778,54 ₽
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 4720 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 3219 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 29615 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,61 ₽ до 185,60 ₽
На складе 29615 шт.
MOQ 195 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 3219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 769 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:52 23.02.2021
На складе 14 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FDD6690A, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
46.0 A
Gate Charge:
13.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
46.0 A
Входная емкость:
1.23 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
56.0 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
12.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
7.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Continuous Drain Current, Id:46A
- On Resistance, Rds(on):12mohm
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Package/Case:TO-252
- Соответствует RoHS: Да
- This N-Channel Logic level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- МОП-транзистор, N, D-PAK
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 46A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on):12.5mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,9 В
- Power Dissipation Pd:50W
- Тип корпуса транзистора: D-PAK
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Альтернативный тип корпуса: D-PAK
- Current Id Max:46A
- Текущая температура: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Package / Case:DPAK
- Power Dissipation Pd:50W
- Power Dissipation Pd:50W
- Pulse Current Idm:100A
- SMD Marking:FDD6690A
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds: 30 В
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Максимальное напряжение Vgs: 1,9 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В