Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDMA1025P

PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 155mΩ

Цена от 26,25 ₽ до 78,87 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDMA1025P на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 65860 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 26,25 ₽ до 78,87 ₽
США
На складе 48000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
31,74 ₽ от 1254 шт.
30,65 ₽ от 1300 шт.
29,15 ₽ от 2600 шт.
27,89 ₽ от 6300 шт.
26,25 ₽ от 13000 шт.
США
На складе 2992 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
78,87 ₽ от 1 шт.
65,31 ₽ от 10 шт.
65,31 ₽ от 50 шт.
45,76 ₽ от 100 шт.
33,77 ₽ от 1000 шт.
27,10 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 65860 шт.
MOQ 1254 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
32,73 ₽ от 1254 шт.
32,27 ₽ от 1300 шт.
31,34 ₽ от 2600 шт.
30,65 ₽ от 6300 шт.
29,50 ₽ от 13000 шт.
28,81 ₽ от 63000 шт.
28,12 ₽ от 130000 шт.
США
На складе 65860 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
31,03 ₽ от 1 шт.
30,41 ₽ от 25 шт.
29,78 ₽ от 100 шт.
29,16 ₽ от 500 шт.
28,55 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2943 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
78,87 ₽ от 1 шт.
68,65 ₽ от 10 шт.
65,40 ₽ от 25 шт.
47,49 ₽ от 100 шт.
39,68 ₽ от 500 шт.
33,77 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
39,25 ₽ от 3000 шт.
38,98 ₽ от 6000 шт.
35,48 ₽ от 9000 шт.
34,29 ₽ от 24000 шт.
США
На складе 2907 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 100 шт.
Китай
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDMA1025P, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
-3.10 A
Gate Charge:
4.80 nC
Continuous Drain Current (Ids):
-3.10 A
Входная емкость:
450 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
1.40 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
105 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 155mΩ
  • Power Field-Effect Transistor, 3.1A, 20V, 0.22ohm, 2-Element, P-Channel, MOSFET
  • Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
  • MOSFET, DUAL, P, SMD, MLP
  • Transistor type:PowerTrench
  • Voltage, Vds typ:-20V
  • Current, Id cont:3.1A
  • Resistance, Rds on:0.155ohm
  • Voltage, Vgs Rds on measurement:-4.5V
  • Voltage, Vgs th typ:-0.9V
  • Case style:MicroFET
  • Current, Idm RoHS Compliant: Yes
  • This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra - portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and well suited to linear mode applications.
  • MOSFET, DUAL, P, SMD, MLP
  • Конфигурация модуля: двойной
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 3,1 А
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • On State Resistance:155mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV
  • Рассеиваемая мощность Pd: 1,4 Вт
  • Transistor Case Style:MicroFET
  • Количество контактов: 6
  • SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
  • Current Id Max:-3.1A
  • Package / Case:MicroFET
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor Type:Trench
  • Импульсный ток Idm: 6A
  • SMD Marking:025
  • Voltage Vds Typ:-20V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • Voltage Vgs th Max:-1.5V

Документы по ON Semiconductor FDMA1025P, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)