ON Semiconductor
FDMA1029PZ
PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 95mΩ
Цена от 18,65 ₽ до 455,90 ₽
Наличие ON Semiconductor FDMA1029PZ на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2818 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 161,32 ₽ до 455,90 ₽
На складе 2818 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 5740 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 25,33 ₽ до 86,64 ₽
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 448 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 5740 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 3000 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2818 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 1500 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 96 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
На складе 212 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4620 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 18,65 ₽ до 139,37 ₽
На складе 3000 шт.
MOQ 235 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 2818 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 22 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 11800 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDMA1029PZ, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Текущий рейтинг:
-3.10 A
Gate Charge:
10.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
-3.10 A
Входная емкость:
540 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
1.40 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
60.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
- PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 95mΩ
- Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
- Dual P-Channel 20 V 1.4 W 10 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - MICROFET-2x2
- Транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Напряжение истока стока, Vds: -20V
- Continuous Drain Current, Id:-3.1A
- On Resistance, Rds(on):0.095ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-1V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:12V
- Соответствует RoHS: Да
- This device is designed specifically as a single-package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent P-channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET™ 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.