ON Semiconductor
FDN5618P
P-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, 60 В, -1,25 А, 170 мОм
Цена от 12,15 ₽ до 259,51 ₽
Наличие ON Semiconductor FDN5618P на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 368306 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 12,93 ₽ до 259,51 ₽
На складе 300 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 86505 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 680 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 57000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 368306 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 5 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3405 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 875 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 487297 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,53 ₽ до 58,01 ₽
На складе 2576 шт.
MOQ 159 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 486000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 116372 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 390000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 3177 шт.
MOQ 61 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 51000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 3177 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2885 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 487297 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2780 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 634 шт.
Обновлено 23:05 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 725 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 848 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 14945 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3900 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 48013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 30030 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 67082 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 352684 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,15 ₽ до 73,65 ₽
На складе 2576 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Упаковка Bulk На складе 3177 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 51000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 4840 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 352684 шт.
MOQ 230 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 280821 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 4024 шт.
Обновлено 15:09 23.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDN5618P, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
-1.25 A
Gate Charge:
8.60 nC
Continuous Drain Current (Ids):
1.20 A
Входная емкость:
430 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
500 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
170 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-60.0 V
- P-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, 60 В, -1,25 А, 170 мОм
- P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
- This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:-60V
- Continuous Drain Current, Id:1.2A
- On Resistance, Rds(on):0.17ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: -10V
- Package/Case:SuperSOT-3
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, P, SOT-23
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:1.25A
- Напряжение источника стока Vds: 60 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 170 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ:20V
- Power Dissipation Pd:500mW
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:1.2A
- Текущая температура: 25 ° C
- Device Marking:618
- Внешняя глубина: 2,5 мм
- Внешняя длина / высота: 1,12 мм
- Внешняя ширина: 3,05 мм
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Упаковка / ящик: SOT-23
- Power Dissipation Pd:500mW
- Power Dissipation Pd:500mW
- Pulse Current Idm:10A
- SMD Marking:618
- Ширина ленты: 8 мм
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds:60V
- Напряжение Vds Typ: -60 В
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В
- Voltage Vgs th Max:-3V