Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDP038AN06A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ

Цена от 83,84 ₽ до 1 735,25 ₽

Наличие ON Semiconductor FDP038AN06A0 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 6
В наличии до 793 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 83,84 ₽ до 1 735,25 ₽
Британия
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
83,84 ₽ от 1 шт.
Британия
На складе 781 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
169,59 ₽ от 1 шт.
Польша
На складе 48 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
311,21 ₽ от 1 шт.
279,29 ₽ от 3 шт.
246,23 ₽ от 10 шт.
222,29 ₽ от 25 шт.
Британия
На складе 793 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:33 18.02.2021
1 735,25 ₽ от 1 шт.
1 304,91 ₽ от 10 шт.
985,62 ₽ от 100 шт.
930,09 ₽ от 500 шт.
832,92 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 150 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Германия
На складе 200 шт.
Обновлено 14:03 18.02.2021
Цена по запросу.
Америка 13
В наличии до 7365 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 165,03 ₽ до 403,18 ₽
США
На складе 653 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:51 18.02.2021
242,13 ₽ от 5 шт.
202,25 ₽ от 10 шт.
191,76 ₽ от 100 шт.
168,34 ₽ от 250 шт.
166,67 ₽ от 500 шт.
165,03 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 653 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:15 18.02.2021
251,82 ₽ от 1 шт.
210,34 ₽ от 10 шт.
199,43 ₽ от 100 шт.
175,08 ₽ от 250 шт.
173,34 ₽ от 500 шт.
171,63 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 28 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:51 18.02.2021
219,63 ₽ от 26 шт.
216,54 ₽ от 170 шт.
210,35 ₽ от 330 шт.
205,71 ₽ от 810 шт.
197,98 ₽ от 1700 шт.
193,34 ₽ от 8100 шт.
188,70 ₽ от 17000 шт.
США
На складе 587 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tube
365,63 ₽ от 1 шт.
311,50 ₽ от 10 шт.
311,50 ₽ от 50 шт.
249,64 ₽ от 100 шт.
197,72 ₽ от 1000 шт.
197,72 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 711 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:17 17.02.2021
Упаковка Tube
403,18 ₽ от 1 шт.
338,45 ₽ от 10 шт.
319,45 ₽ от 25 шт.
273,81 ₽ от 100 шт.
243,38 ₽ от 500 шт.
208,40 ₽ от 1000 шт.
200,52 ₽ от 2500 шт.
Канада
На складе 100 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:46 18.02.2021
Упаковка Tube
239,80 ₽ от 1 шт.
220,57 ₽ от 40 шт.
214,91 ₽ от 125 шт.
210,39 ₽ от 400 шт.
204,73 ₽ от 1250 шт.
США
На складе 789 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:58 18.02.2021
334,30 ₽ от 1 шт.
283,75 ₽ от 10 шт.
265,37 ₽ от 25 шт.
245,84 ₽ от 50 шт.
227,46 ₽ от 100 шт.
214,82 ₽ от 250 шт.
США
На складе 7365 шт.
Обновлено 09:58 18.02.2021
240,60 ₽ от 1 шт.
235,79 ₽ от 25 шт.
230,98 ₽ от 100 шт.
226,16 ₽ от 500 шт.
221,35 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 100 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
353,47 ₽ от 1 шт.
США
На складе 65 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 40 шт.
Обновлено 15:48 11.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 231 шт.
Обновлено 00:10 18.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2032 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 12552 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 152,31 ₽ до 425,23 ₽
Китай
На складе 12552 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
225,61 ₽ от 30 шт.
186,23 ₽ от 70 шт.
180,51 ₽ от 110 шт.
174,92 ₽ от 150 шт.
169,20 ₽ от 190 шт.
152,31 ₽ от 255 шт.
Китай
На складе 318 шт.
Обновлено 13:14 16.02.2021
162,86 ₽ от 1 шт.
162,86 ₽ от 100 шт.
162,86 ₽ от 1000 шт.
162,86 ₽ от 2500 шт.
162,86 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 653 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:58 18.02.2021
278,36 ₽ от 1 шт.
229,30 ₽ от 10 шт.
216,46 ₽ от 100 шт.
193,71 ₽ от 250 шт.
191,79 ₽ от 500 шт.
189,89 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 789 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:53 18.02.2021
425,23 ₽ от 1 шт.
361,06 ₽ от 10 шт.
289,23 ₽ от 100 шт.
272,95 ₽ от 250 шт.
256,67 ₽ от 500 шт.
228,89 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDP038AN06A0, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
80.0 A
Gate Charge:
96.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Входная емкость:
6.40 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
310 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.80 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
144 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ
  • N-Channel 60 V 3.8 mOhm PowerTrench Mosfet TO-220AB
  • Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • МОП-транзистор, N
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
  • Напряжение источника стока Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on):3.5mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Power Dissipation Pd:310W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:80A
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:310W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:60V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по ON Semiconductor FDP038AN06A0, инструкции, описания, datasheet.