ON Semiconductor
FDP038AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ
Цена от 83,84 ₽ до 1 735,25 ₽
Наличие ON Semiconductor FDP038AN06A0 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики ON Semiconductor FDP038AN06A0, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
80.0 A
Gate Charge:
96.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Входная емкость:
6.40 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
310 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.80 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
144 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ
- N-Channel 60 V 3.8 mOhm PowerTrench Mosfet TO-220AB
- Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
- МОП-транзистор, N
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
- Напряжение источника стока Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on):3.5mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Power Dissipation Pd:310W
- Тип корпуса транзистора: TO-220AB
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Id Max:80A
- Package / Case:TO-220AB
- Power Dissipation Pd:310W
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Voltage Vds Typ:60V
- Максимальное напряжение Vgs: 4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
