Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDP060AN08A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 6mΩ

Цена от 144,24 ₽ до 1 604,32 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDP060AN08A0 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 2937 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 712,26 ₽ до 1 604,32 ₽
Британия
На складе 2937 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
1 604,32 ₽ от 1 шт.
1 203,24 ₽ от 10 шт.
905,89 ₽ от 100 шт.
788,33 ₽ от 500 шт.
712,26 ₽ от 1000 шт.
Европейский союз
На складе 50 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
Цена по запросу.
Америка 8
В наличии до 1780 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 149,77 ₽ до 355,83 ₽
США
На складе 71 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
162,79 ₽ от 1 шт.
159,54 ₽ от 25 шт.
156,29 ₽ от 100 шт.
153,03 ₽ от 500 шт.
149,77 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 617 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube
322,68 ₽ от 1 шт.
275,16 ₽ от 10 шт.
275,16 ₽ от 50 шт.
214,38 ₽ от 100 шт.
152,50 ₽ от 1000 шт.
152,50 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 30 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
216,06 ₽ от 1 шт.
183,88 ₽ от 500 шт.
157,45 ₽ от 1000 шт.
154,00 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 30 шт.
MOQ 200 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
156,30 ₽ от 200 шт.
156,30 ₽ от 500 шт.
156,30 ₽ от 1000 шт.
154,00 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 1780 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube
355,83 ₽ от 1 шт.
295,50 ₽ от 10 шт.
285,82 ₽ от 25 шт.
235,17 ₽ от 100 шт.
198,99 ₽ от 500 шт.
168,84 ₽ от 1000 шт.
160,39 ₽ от 2500 шт.
158,97 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 160 шт.
MOQ 123 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
210,32 ₽ от 123 шт.
196,53 ₽ от 640 шт.
Канада
На складе 316 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 256 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 4612 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 144,24 ₽ до 385,58 ₽
Китай
На складе 4612 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
213,63 ₽ от 30 шт.
176,26 ₽ от 75 шт.
170,93 ₽ от 115 шт.
165,59 ₽ от 155 шт.
160,25 ₽ от 200 шт.
144,24 ₽ от 265 шт.
Сингапур
На складе 2830 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
385,58 ₽ от 1 шт.
309,22 ₽ от 10 шт.
255,78 ₽ от 100 шт.
247,19 ₽ от 250 шт.
214,74 ₽ от 500 шт.
181,33 ₽ от 1000 шт.
172,75 ₽ от 2500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDP060AN08A0, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
80.0 A
Gate Charge:
73.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Входная емкость:
5.15 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
255 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
6.00 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
79.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 6mΩ
  • N-Channel 75 V 6 mOhm Power Trench Mosfet - TO-220
  • Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • TO220AB, SINGLE, NCH, 75V, 0.0063 OHM POWERTRENCH MOSFET

Документы по ON Semiconductor FDP060AN08A0, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)