Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Цена от 89,41 ₽ до 215,54 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDP3652 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 11
В наличии до 4253 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 89,41 ₽ до 215,54 ₽
США
На складе 4253 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 17:47 06.03.2021
143,10 ₽ от 15 шт.
115,98 ₽ от 100 шт.
111,47 ₽ от 250 шт.
101,49 ₽ от 500 шт.
89,41 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4253 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
170,79 ₽ от 1 шт.
148,83 ₽ от 10 шт.
120,62 ₽ от 100 шт.
115,92 ₽ от 250 шт.
105,55 ₽ от 500 шт.
92,99 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
195,44 ₽ от 1 шт.
166,40 ₽ от 10 шт.
166,40 ₽ от 50 шт.
130,66 ₽ от 100 шт.
94,93 ₽ от 1000 шт.
94,93 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 91 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
215,54 ₽ от 1 шт.
179,13 ₽ от 10 шт.
173,23 ₽ от 25 шт.
142,53 ₽ от 100 шт.
120,60 ₽ от 500 шт.
102,33 ₽ от 1000 шт.
97,21 ₽ от 2500 шт.
96,35 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 1050 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 17:47 06.03.2021
115,41 ₽ от 15 шт.
113,78 ₽ от 320 шт.
110,53 ₽ от 630 шт.
108,09 ₽ от 1600 шт.
104,03 ₽ от 3100 шт.
101,59 ₽ от 16000 шт.
99,15 ₽ от 31000 шт.
США
На складе 250 шт.
MOQ 150 шт.
Обновлено 20:05 05.03.2021
114,48 ₽ от 150 шт.
106,85 ₽ от 250 шт.
США
На складе 2464 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
126,42 ₽ от 1 шт.
123,89 ₽ от 25 шт.
121,36 ₽ от 100 шт.
118,84 ₽ от 500 шт.
116,31 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 28 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 572 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 936 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 270 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 4253 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 102,73 ₽ до 200,48 ₽
Китай
На складе 4253 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:38 06.03.2021
188,69 ₽ от 1 шт.
164,42 ₽ от 10 шт.
133,26 ₽ от 100 шт.
128,07 ₽ от 250 шт.
116,61 ₽ от 500 шт.
102,73 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 1900 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
160,54 ₽ от 40 шт.
132,54 ₽ от 100 шт.
128,43 ₽ от 150 шт.
124,45 ₽ от 210 шт.
120,47 ₽ от 270 шт.
108,39 ₽ от 360 шт.
Китай
На складе 330 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
200,48 ₽ от 1 шт.
147,19 ₽ от 10 шт.
137,21 ₽ от 30 шт.
127,46 ₽ от 100 шт.
123,15 ₽ от 500 шт.
120,88 ₽ от 1000 шт.
Израиль
На складе 258 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 624 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 624 шт.
Обновлено 15:30 05.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDP3652, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
61.0 A
Gate Charge:
41.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
61.0 A
Входная емкость:
2.88 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
150 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
14.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
85.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, 100 В, 61 А, 16 мОм
  • N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB
  • Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 61A
  • На сопротивлении Rds (On): 0,014 Ом
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да
  • МОП-транзистор, N, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 61A
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 14 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:182mJ
  • Capacitance Ciss Typ:2880pF
  • Current Id Max:61A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Расстояние между выводами: 2,54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:14mohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Конфигурация контактов: a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Power Dissipation Ptot Max:150W
  • Pulse Current Idm:70A
  • Reverse Recovery Time trr Typ:62ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Voltage Vgs th Min:2V

Документы по ON Semiconductor FDP3652, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 20.10.2003)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)