ON Semiconductor
FDP5800
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 80A, 6mΩ
Цена от 30,96 ₽ до 1 794,80 ₽
Наличие ON Semiconductor FDP5800 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 32 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 392 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 1523 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:24 26.12.2020
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:43 26.12.2020
На складе 2400 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 800 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 18 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:43 26.12.2020
На складе 912 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tube На складе 2760 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
На складе 221 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
На складе 842 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Tube На складе 1357 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:55 26.12.2020
На складе 171 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 03:55 26.12.2020
На складе 719 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
На складе 234 шт.
Обновлено 23:13 18.12.2020
Цена по запросу.
На складе 770 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 11380 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:44 26.12.2020
На складе 1357 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 26.12.2020
Технические характеристики ON Semiconductor FDP5800, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
60.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
14.0 A
Gate Charge:
145 nC
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Входная емкость:
9.16 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
242 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
6.00 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 80A, 6mΩ
- Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
- 60V, 80A, 6m ohom ,NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
- МОП-транзистор, N, TO-220
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
- Напряжение источника стока Vds: 60 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 4,6 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,5 В
- Power Dissipation Pd:242mW
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
- Тип корпуса транзистора: TO-220
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Id Max:80A
- Упаковка / ящик: TO-220
- Power Dissipation Pd:242mW
- Pulse Current Idm:320A
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Voltage Vds Typ:60V
- Максимальное напряжение Vgs: 2,5 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В