Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS6690AS

N-канал 30 В, 19 мОм, поверхностный МОП-транзистор PowerTrench - SOIC-8

Цена от 21,76 ₽ до 130,62 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS6690AS на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 12
В наличии до 162023 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 27,46 ₽ до 106,71 ₽
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
27,46 ₽ от 2500 шт.
27,46 ₽ от 3000 шт.
27,46 ₽ от 6000 шт.
27,46 ₽ от 12000 шт.
27,46 ₽ от 18000 шт.
27,46 ₽ от 30000 шт.
США
На складе 99 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
Упаковка Cut Tape (2500 шт.)
32,04 ₽ от 1 шт.
32,04 ₽ от 10 шт.
32,04 ₽ от 100 шт.
32,04 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
32,20 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 2294 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
74,22 ₽ от 22 шт.
73,59 ₽ от 25 шт.
56,59 ₽ от 100 шт.
43,03 ₽ от 250 шт.
38,83 ₽ от 500 шт.
38,44 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 162023 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
43,10 ₽ от 1 шт.
42,23 ₽ от 25 шт.
41,37 ₽ от 100 шт.
40,51 ₽ от 500 шт.
39,64 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:17 15.02.2021
Упаковка Cut Tape
89,45 ₽ от 1 шт.
77,19 ₽ от 10 шт.
76,53 ₽ от 25 шт.
58,85 ₽ от 100 шт.
44,75 ₽ от 250 шт.
40,39 ₽ от 500 шт.
39,98 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3332 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel
96,81 ₽ от 1 шт.
82,18 ₽ от 10 шт.
82,18 ₽ от 50 шт.
61,61 ₽ от 100 шт.
42,57 ₽ от 1000 шт.
41,91 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3457 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Cut Tape
106,71 ₽ от 1 шт.
87,13 ₽ от 10 шт.
85,46 ₽ от 25 шт.
67,72 ₽ от 100 шт.
57,40 ₽ от 500 шт.
46,76 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 99 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
53,43 ₽ от 1 шт.
Канада
На складе 5 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
88,01 ₽ от 1 шт.
США
На складе 1561 шт.
Обновлено 23:25 10.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 686 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 2950 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,82 ₽ до 130,62 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
95,37 ₽ от 1 шт.
61,31 ₽ от 5 шт.
54,49 ₽ от 25 шт.
48,82 ₽ от 100 шт.
Британия
На складе 2950 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
130,62 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 30 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
130,62 ₽ от 5 шт.
Азия 4
В наличии до 62640 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,76 ₽ до 103,30 ₽
Китай
На складе 62640 шт.
MOQ 200 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
32,26 ₽ от 200 шт.
26,69 ₽ от 475 шт.
25,81 ₽ от 740 шт.
25,05 ₽ от 1015 шт.
24,16 ₽ от 1310 шт.
21,76 ₽ от 1745 шт.
Китай
На складе 2034 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
103,30 ₽ от 1 шт.
88,04 ₽ от 10 шт.
86,59 ₽ от 25 шт.
64,44 ₽ от 100 шт.
48,43 ₽ от 250 шт.
44,55 ₽ от 500 шт.
43,59 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 2065 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 15.02.2021
93,86 ₽ от 1 шт.
68,50 ₽ от 10 шт.
63,95 ₽ от 30 шт.
59,37 ₽ от 100 шт.
57,32 ₽ от 500 шт.
56,19 ₽ от 1000 шт.
Израиль
На складе 2450 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS6690AS, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
10.0 A
Gate Charge:
16.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
10.0 A
Входная емкость:
910 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • N-канал 30 В, 19 мОм, поверхностный МОП-транзистор PowerTrench - SOIC-8
  • Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-контактный SOIC N T / R
  • МОП-транзистор, нейтральный канал, 30 В, 0,01 Ом, 10 А, SOIC-8
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 10А
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • На сопротивлении Rds (на): 0,01 Ом
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
  • Минимальная рабочая температура: -55 ° C
  • Максимальная рабочая температура: 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • MSL:-
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2013 г.)
  • FDS6690AS разработан для замены одного полевого МОП-транзистора SO-8 и диода Шоттки в синхронных источниках питания постоянного тока. Этот полевой МОП-транзистор на 30 В разработан для максимального повышения эффективности преобразования энергии, обеспечивая низкий уровень RDS (ON) и низкий заряд затвора. FDS6690AS включает в себя интегрированный диод Шоттки с использованием монолитной технологии SyncFET от Fairchild. Характеристики FDS6690AS в качестве переключателя нижнего плеча в синхронном выпрямителе близки к характеристикам FDS6690A, подключенного параллельно с диодом Шоттки.

Документы по ON Semiconductor FDS6690AS, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 27.05.2008)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)