ON Semiconductor
FDS6690AS
N-канал 30 В, 19 мОм, поверхностный МОП-транзистор PowerTrench - SOIC-8
Цена от 21,76 ₽ до 130,62 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS6690AS на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 162023 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 27,46 ₽ до 106,71 ₽
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
На складе 99 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
Упаковка Cut Tape (2500 шт.) На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
На складе 2294 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
На складе 162023 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
На складе 2294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:17 15.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3332 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 3457 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 99 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 5 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 1561 шт.
Обновлено 23:25 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 686 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2950 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,82 ₽ до 130,62 ₽
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 2950 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 30 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
В наличии до 62640 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,76 ₽ до 103,30 ₽
На складе 62640 шт.
MOQ 200 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 2034 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 2065 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 15.02.2021
На складе 2450 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDS6690AS, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
10.0 A
Gate Charge:
16.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
10.0 A
Входная емкость:
910 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-канал 30 В, 19 мОм, поверхностный МОП-транзистор PowerTrench - SOIC-8
- Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-контактный SOIC N T / R
- МОП-транзистор, нейтральный канал, 30 В, 0,01 Ом, 10 А, SOIC-8
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 10А
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- На сопротивлении Rds (на): 0,01 Ом
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
- Минимальная рабочая температура: -55 ° C
- Максимальная рабочая температура: 150 ° C
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- MSL:-
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2013 г.)
- FDS6690AS разработан для замены одного полевого МОП-транзистора SO-8 и диода Шоттки в синхронных источниках питания постоянного тока. Этот полевой МОП-транзистор на 30 В разработан для максимального повышения эффективности преобразования энергии, обеспечивая низкий уровень RDS (ON) и низкий заряд затвора. FDS6690AS включает в себя интегрированный диод Шоттки с использованием монолитной технологии SyncFET от Fairchild. Характеристики FDS6690AS в качестве переключателя нижнего плеча в синхронном выпрямителе близки к характеристикам FDS6690A, подключенного параллельно с диодом Шоттки.